HBM3显存性能爆炸,三星/海力士已经“动手”了

2016-08-22 09:55:00
全芯编辑
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        想当年HBM显存刚刚面世时,世人都被它512GB/s的位宽所折服,而搭载它的R9 NANO更是成为了众多玩家的一张神卡。第二代的HBM早前就在NVIDIA发布帕斯卡GP100显卡时就曾和我们见过面,不过当时只是展示而已。然而HBM2显存还没正式和我们见面,三星和海力士就为再下一代的研发做准备。

        

        三星HBM2显存

        海力士和三星共同在研发新一代的HBM显存,三星可能把新一代的HBM显存称为:xHBM或者ExtremeHBM,而海力士则把下一代的HBM显存称为:HBM3或者HBMx,不过无论怎么称呼新一代的HBM都无所谓,玩家们只关心它们的性能到底如何。

        目前HBM2每层的DRAM可以提供256GB/s的位宽,而未来的HBM3将会翻一番,每层DRAM将达到512GB/s。另外,据消息称新一代的HBM显存单颗容量有望达到64GB,不过按照目前的情况来看64GB可能更多的是给专业级显卡使用。最后令人兴奋的一点是,下一代的HBM显存有望把成本大幅度降低,届时玩家就能以更低的价格买到搭载更强显存的显卡了。

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updated: 2020-09-19 22:47:39