制造商(ON SEMICONDUCTOR)

ON SEMICONDUCTOR

ON Semiconductor (Nasdaq: ON) is driving energy efficient innovations, empowering customers to reduce global energy use. The company offers a comprehensive portfolio of energy efficient power and signal management, logic, discrete and custom solutions to help design engineers solve their unique design challenges in automotive, communications, computing, consumer, industrial, LED lighting, medical, military/aerospace and power supply applications. ON Semiconductor operates a responsive, reliable, world-class supply chain and quality program, and a network of manufacturing facilities, sales offices and design centers in key markets throughout North America, Europe, and the Asia Pacific regions.

产品列表
MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

制造商:   ON SEMICONDUCTOR
分类:   晶体管 - 双极 (BJT) - 单
描述分类:   双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 600mA 300MHz 225mW 表面贴装 SOT-23
数据:   下载

类别:   分立半导体产品
系列:   汽车级,AEC-Q101
包装:   Digi-Reel®
零件状态:   在售
晶体管类型:   NPN
电流-集电极(Ic)(最大值):   600mA
电压-集射极击穿(最大值):   40V
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):   1V @ 50mA,500mA
电流-集电极截止(最大值):   10nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):   100 @ 150mA,10V
功率-最大值:   225mW
频率-跃迁:   300MHz
工作温度:   -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:   表面贴装
封装/外壳:   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:   SOT-23
基本零件编号:   MMBT2222A

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MMBTA06LT1G

MMBTA06LT1G

制造商:   ON SEMICONDUCTOR
分类:   晶体管 - 双极 (BJT) - 单
描述分类:   双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 500mA 100MHz 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)
数据:   下载

类别:   分立半导体产品
系列:   -
包装:   Digi-Reel®
零件状态:   在售
晶体管类型:   NPN
电流-集电极(Ic)(最大值):   500mA
电压-集射极击穿(最大值):   80V
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):   250mV @ 10mA,100mA
电流-集电极截止(最大值):   100nA
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):   100 @ 100mA,1V
功率-最大值:   225mW
频率-跃迁:   100MHz
工作温度:   -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:   表面贴装
封装/外壳:   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:   SOT-23-3(TO-236)
基本零件编号:   MMBTA06

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MUR1620CTG

MUR1620CTG

制造商:   ON SEMICONDUCTOR
分类:   二极管 - 整流器 - 阵列
描述分类:   Diode Array 1 对共阴极 标准 200V 8A 通孔 TO-220-3
数据:   下载

类别:   分立半导体产品
系列:   SWITCHMODE™
包装:   管件
零件状态:   在售
二极管配置:   1 对共阴极
二极管类型:   标准
电压-DC反向(Vr)(最大值):   200V
电流-平均整流(Io)(每二极管):   8A
不同If时的电压-正向(Vf:   975mV @ 8A
速度:   快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr):   35ns
不同 Vr时的电流-反向漏电流:   5µA @ 200V
工作温度-结:   -65°C ~ 175°C
安装类型:   通孔
封装/外壳:   TO-220-3
供应商器件封装:   TO-220AB
基本零件编号:   MUR1620CT

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MBRS140T3G

MBRS140T3G

制造商:   ON SEMICONDUCTOR
分类:   二极管 - 整流器 - 单
描述分类:   肖特基 表面贴装 二极管 40V 1A SMB
数据:   下载

类别:   分立半导体产品
系列:   -
包装:   Digi-Reel®
零件状态:   在售
二极管类型:   肖特基
电压-DC反向(Vr)(最大值):   40V
电流-平均整流(Io):   1A
不同If时的电压-正向(Vf:   600mV @ 1A
速度:   快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr时的电流-反向漏电流:   1mA @ 40V
不同 Vr,F时的电容:   -
安装类型:   表面贴装
封装/外壳:   DO-214AA,SMB
供应商器件封装:   SMB
工作温度-结:   -65°C ~ 125°C
基本零件编号:   MBRS140

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BAV99WT1G

BAV99WT1G

制造商:   ON SEMICONDUCTOR
分类:   二极管 - 整流器 - 阵列
描述分类:   Diodes - General Purpose, Power, Switching 70V 215mA Dual
数据:   下载

类别:   分立半导体产品
系列:   -
包装:   剪切带(CT)
零件状态:   上次购买时间
二极管配置:   1 对串联
二极管类型:   标准
Voltage-DCReverse(Vr)(Max):   70V
电流-平均整流(Io)(每二极管):   200mA
不同If时的电压-正向(Vf):   1.25V @ 150mA
速度:   小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr):   6ns
不同 Vr时的电流-反向漏电流:   2.5µA @ 70V
工作温度-结:   -65°C ~ 150°C
安装类型:   表面贴装
封装/外壳:   SC-70,SOT-323
供应商器件封装:   SOT-323

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1N4148

1N4148

制造商:   ON SEMICONDUCTOR
分类:   二极管 - 整流器 - 单
描述分类:   标准 通孔 二极管 100V 200mA DO-35
数据:   下载

类别:   分立半导体产品
系列:   -
包装:   散装
零件状态:   在售
二极管类型:   标准
电压-DC反向(Vr)(最大值):   100V
电流-平均整流(Io):   200mA
不同If时的电压-正向(Vf:   1V @ 10mA
速度:   小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr):   4ns
不同 Vr时的电流-反向漏电流:   5µA @ 75V
不同 Vr,F时的电容:   4pF @ 0V,1MHz
安装类型:   通孔
封装/外壳:   DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装:   DO-35
工作温度-结:   -65°C ~ 175°C
基本零件编号:   1N4148

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MBR0520L

MBR0520L

制造商:   ON SEMICONDUCTOR
分类:   二极管 - 整流器 - 单
描述分类:   Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Power Rect .5a
数据:   下载

类别:   分立半导体产品
系列:   -
包装:   剪切带(CT)
零件状态:   在售
二极管类型:   肖特基
Voltage-DCReverse(Vr)(Max):   20V
电流-平均整流(Io):   500mA
不同If时的电压-正向(Vf):   385mV @ 500mA
速度:   快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr时的电流-反向漏电流:   250µA @ 20V
不同 Vr,F时的电容:   -
安装类型:   表面贴装
封装/外壳:   SOD-123
供应商器件封装:   SOD-123
工作温度-结:   -65°C ~ 125°C

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2N7002

2N7002

制造商:   ON SEMICONDUCTOR
分类:   晶体管 - FET,MOSFET - 单
描述分类:   MOSFET N-CHANNEL 60V 115mA
数据:   下载

类别:   分立半导体产品
系列:   -
包装:   剪切带(CT)
零件状态:   在售
FET类型:   N 沟道
技术:   MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss):   60V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):   115mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):   5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):   2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):   -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):   50pF @ 25V
Vgs(最大值):   ±20V
FET功能:   -
功率耗散(最大值):   200mW(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):   7.5 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度:   -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:   表面贴装
供应商器件封装:   SOT-23(TO-236AB)
封装/外壳:   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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MC331

MC331

制造商:   ON SEMICONDUCTOR

NVMFS5

NVMFS5

制造商:   ON SEMICONDUCTOR

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updated: 2019-06-21 02:27:23