MDD
商品列表
ES3J-SMC
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=600V IF=3A 45pF Trr=35ns
产品分类: 快/超快恢复二极管二极管 工作温度: -55℃~150℃ 应用: 通用 总电容C: 45pF 系列: ES3AB - ES3JB 组态: Single 反向耐压VR(max): 600V 反向漏电流IR: 5uA 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF: 1.7V 平均整流电流IF: 3A 封装/外壳: SMC(DO-214AB)
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=600V IF=3A 45pF Trr=35ns
产品分类: 快/超快恢复二极管二极管 工作温度: -55℃~150℃ 应用: 通用 总电容C: 45pF 系列: ES3AB - ES3JB 组态: Single 反向耐压VR(max): 600V 反向漏电流IR: 5uA 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF: 1.7V 平均整流电流IF: 3A 封装/外壳: SMC(DO-214AB)
RS2MB
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=1000V IF=2A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.3V 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMB 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+150℃ 反向峰值电压（最大值）: 1000V 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 2A 反向恢复时间(trr): 500ns 正向压降VF Max: 1.3V 结电容: 28pF 零件状态: Active 高度: 2.13mm 应用: 通用 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: VR=1000V IF=2A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.3V 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMB 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+150℃ 反向峰值电压（最大值）: 1000V 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 2A 反向恢复时间(trr): 500ns 正向压降VF Max: 1.3V 结电容: 28pF 零件状态: Active 高度: 2.13mm 应用: 通用 引脚数: 2Pin
MBRF10100CT
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：ITO-220AB 正向浪涌电流Ifsm：150A 反向峰值电压Vrrm：100V 反向电压Vr：100V 正向电流If：10A
安装类型: DIP 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tube packing 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: ITO220AB 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 150A 平均整流电流: 10A 最小包装: 50pcs 正向压降VF Max: 850mV 高度: 19.00mm 零件状态: Active 结电容: 450pF 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：ITO-220AB 正向浪涌电流Ifsm：150A 反向峰值电压Vrrm：100V 反向电压Vr：100V 正向电流If：10A
安装类型: DIP 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tube packing 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: ITO220AB 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 150A 平均整流电流: 10A 最小包装: 50pcs 正向压降VF Max: 850mV 高度: 19.00mm 零件状态: Active 结电容: 450pF 引脚数: 3Pin
FR157
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: 封装/外壳：DO-15 正向浪涌电流Ifsm：60A 反向峰值电压Vrrm：1000V 反向电压Vr：1000V 正向电流If：1.5A
二极管配置: 单路 安装类型: DIP 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 印字代码: MDD FR157 正向压降VF: 1.3V 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: DO15 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 1.5A 反向峰值电压（最大值）: 1000V 反向耐压VR: 1KV 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 500ns 正向压降VF Max: 1.3V 高度: 3.60mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: 封装/外壳：DO-15 正向浪涌电流Ifsm：60A 反向峰值电压Vrrm：1000V 反向电压Vr：1000V 正向电流If：1.5A
二极管配置: 单路 安装类型: DIP 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 印字代码: MDD FR157 正向压降VF: 1.3V 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: DO15 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 1.5A 反向峰值电压（最大值）: 1000V 反向耐压VR: 1KV 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 500ns 正向压降VF Max: 1.3V 高度: 3.60mm 零件状态: Active
DSK16
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 正向浪涌电流Ifsm：25A 反向峰值电压Vrrm：60V 反向电压Vr：60V 正向电流If：1A
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 反向漏电流IR: 300nA 封装/外壳: SOD123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+125℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 1A 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 700mV 引脚数: 2Pin 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 正向浪涌电流Ifsm：25A 反向峰值电压Vrrm：60V 反向电压Vr：60V 正向电流If：1A
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 反向漏电流IR: 300nA 封装/外壳: SOD123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+125℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 1A 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 700mV 引脚数: 2Pin 应用: 通用
SMBJ90CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=90V，VBR=100～111V，VC=146V
工作电压VR-VI(max): 90V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 断态电压: 90V 功率-峰值脉冲: 600W 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMB 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 4.1A 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 90V 最小包装: 3000pcs 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=90V，VBR=100～111V，VC=146V
工作电压VR-VI(max): 90V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 断态电压: 90V 功率-峰值脉冲: 600W 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMB 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 4.1A 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 90V 最小包装: 3000pcs 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
HER305
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管
描述: 封装/外壳：DO-201AD 正向浪涌电流Ifsm：200A 反向峰值电压Vrrm：400V 反向电压Vr：400V 正向电流If：3A
安装类型: DIP 二极管配置: 单路 品牌: MDD 包装: Box packing 印字代码: MDD HER 305 正向压降VF: 1.3V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ5.60 x 9.50mm 封装/外壳: DO-201AD 反向漏电流IR: 5uA 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: HER301 - HER308 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 400V 反向耐压VR: 400V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): 50ns 结电容: 70pF 高度: 5.60mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管
描述: 封装/外壳：DO-201AD 正向浪涌电流Ifsm：200A 反向峰值电压Vrrm：400V 反向电压Vr：400V 正向电流If：3A
安装类型: DIP 二极管配置: 单路 品牌: MDD 包装: Box packing 印字代码: MDD HER 305 正向压降VF: 1.3V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ5.60 x 9.50mm 封装/外壳: DO-201AD 反向漏电流IR: 5uA 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: HER301 - HER308 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 400V 反向耐压VR: 400V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): 50ns 结电容: 70pF 高度: 5.60mm 引脚数: 2Pin
SF38
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: 封装/外壳：DO-201AD 正向浪涌电流Ifsm：125A 反向峰值电压Vrrm：600V 反向电压Vr：600V 正向电流If：3A
安装类型: DIP 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: MDD 总电容C: 50pF 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 1.7V 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: DO-201AD 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: SF31 - SF38 平均整流电流IF: 3A 反向峰值电压（最大值）: 600V 反向耐压VR: 600V 最小包装: 1000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 高度: 5.60mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: 封装/外壳：DO-201AD 正向浪涌电流Ifsm：125A 反向峰值电压Vrrm：600V 反向电压Vr：600V 正向电流If：3A
安装类型: DIP 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: MDD 总电容C: 50pF 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 1.7V 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: DO-201AD 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: SF31 - SF38 平均整流电流IF: 3A 反向峰值电压（最大值）: 600V 反向耐压VR: 600V 最小包装: 1000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 高度: 5.60mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
SOD1H3
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 VR=200V IF=1A VF=1V IR=5uA trr=50nS
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: U3 正向压降VF: 1V 反向漏电流IR: 5uA 封装/外壳: SOD123FL 结电容Cj: 15pF 工作温度: -50℃~+150℃ 系列: SOD1H1 - SOD1H8 原产国家: China 平均整流电流IF: 1A 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 50ns 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.10mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 VR=200V IF=1A VF=1V IR=5uA trr=50nS
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: U3 正向压降VF: 1V 反向漏电流IR: 5uA 封装/外壳: SOD123FL 结电容Cj: 15pF 工作温度: -50℃~+150℃ 系列: SOD1H1 - SOD1H8 原产国家: China 平均整流电流IF: 1A 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 50ns 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.10mm 零件状态: Active
BZT52C9V1
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123 反向漏电流Ir：500nA @ 6V 齐纳阻抗Zzt：30 Ohms 容差：±5% 齐纳电压Vz：9.1V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 9.1V 最大耗散功率: 500mW 容差Tol: ±5% 品牌: MDD 稳定电流: 5mA 精度: ±5% 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 封装/外壳: SOD123 反向漏电流IR: 500nA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 900mV 引脚数: 2Pin 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123 反向漏电流Ir：500nA @ 6V 齐纳阻抗Zzt：30 Ohms 容差：±5% 齐纳电压Vz：9.1V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 9.1V 最大耗散功率: 500mW 容差Tol: ±5% 品牌: MDD 稳定电流: 5mA 精度: ±5% 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 封装/外壳: SOD123 反向漏电流IR: 500nA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 900mV 引脚数: 2Pin 应用: 通用