MDD
商品列表
DSK12K12
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 正向浪涌电流Ifsm：25A 反向峰值电压Vrrm：20V 反向电压Vr：20V 正向电流If：1A
安装类型: SMT 品牌: MDD 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOD123FL 反向漏电流IR: 10mA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 20V 反向耐压VR: 20V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 25A 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -65°C~125°C 正向压降VF Max: 550mV 结电容: 110pF 零件状态: Active 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 正向浪涌电流Ifsm：25A 反向峰值电压Vrrm：20V 反向电压Vr：20V 正向电流If：1A
安装类型: SMT 品牌: MDD 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOD123FL 反向漏电流IR: 10mA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 20V 反向耐压VR: 20V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 25A 平均整流电流: 1A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -65°C~125°C 正向压降VF Max: 550mV 结电容: 110pF 零件状态: Active 应用: 通用
SR3100
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：DO-201AD 正向浪涌电流Ifsm：80A 反向峰值电压Vrrm：100V 反向电压Vr：100V 正向电流If：3A
安装类型: DIP 二极管配置: 单路 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 850mV 存储温度: -50~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ5.60 x 9.50mm 反向漏电流IR: 500nA 封装/外壳: DO-201AD 结电容Cj: 160pF 工作温度: -50℃~+150℃ 平均整流电流IF: 3A 电流-DC正向（If）: 3A 反向峰值电压（最大值）: 3.1KV 反向耐压VR: 100V 反向恢复时间(trr): - 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：DO-201AD 正向浪涌电流Ifsm：80A 反向峰值电压Vrrm：100V 反向电压Vr：100V 正向电流If：3A
安装类型: DIP 二极管配置: 单路 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 850mV 存储温度: -50~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ5.60 x 9.50mm 反向漏电流IR: 500nA 封装/外壳: DO-201AD 结电容Cj: 160pF 工作温度: -50℃~+150℃ 平均整流电流IF: 3A 电流-DC正向（If）: 3A 反向峰值电压（最大值）: 3.1KV 反向耐压VR: 100V 反向恢复时间(trr): - 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 应用: 通用
SF34
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: 封装/外壳：DO-201AD 正向浪涌电流Ifsm：125A 反向峰值电压Vrrm：200V 反向电压Vr：200V 正向电流If：3A
安装类型: DIP 二极管配置: 单路 包装: Box packing 印字代码: MDD SF34 正向压降VF: 950mV 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ5.60 x 9.50mm 封装/外壳: DO-201AD 反向漏电流IR: 10µA 结电容Cj: 100pF 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: SF31 - SF38 原产国家: China 平均整流电流IF: 3A 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 反向恢复时间(trr): 35ns 高度: 5.60mm 引脚数: 2Pin 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: 封装/外壳：DO-201AD 正向浪涌电流Ifsm：125A 反向峰值电压Vrrm：200V 反向电压Vr：200V 正向电流If：3A
安装类型: DIP 二极管配置: 单路 包装: Box packing 印字代码: MDD SF34 正向压降VF: 950mV 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ5.60 x 9.50mm 封装/外壳: DO-201AD 反向漏电流IR: 10µA 结电容Cj: 100pF 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: SF31 - SF38 原产国家: China 平均整流电流IF: 3A 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 反向恢复时间(trr): 35ns 高度: 5.60mm 引脚数: 2Pin 应用: 通用
SMBJ11CA
供应商: Anychip Mall
分类: 双向TVS二极管
描述: 封装/外壳：SMB(DO-214AA) 反向工作电压Vrwm：11 V 钳位电压Vc：18.2 V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 系列: SMBJ5.0A(CA) - SMBJ440A(CA) 极性（单双向）: 双向 通道数: 1 工作电压VR-VI(max): 11V 击穿电压 V(BR)-min: 12.2V 钳位电压 VC: 18.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 33A 峰值脉冲功率: 600W 工作温度: -65°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMB(DO-214AA)
供应商: Anychip Mall
分类: 双向TVS二极管
描述: 封装/外壳：SMB(DO-214AA) 反向工作电压Vrwm：11 V 钳位电压Vc：18.2 V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 系列: SMBJ5.0A(CA) - SMBJ440A(CA) 极性（单双向）: 双向 通道数: 1 工作电压VR-VI(max): 11V 击穿电压 V(BR)-min: 12.2V 钳位电压 VC: 18.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 33A 峰值脉冲功率: 600W 工作温度: -65°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMB(DO-214AA)
SMAJ20CA
供应商: Anychip Mall
分类: 双向TVS二极管
描述: 封装/外壳：DO-214AC 峰值脉冲电流Ipp：12.3A 反向击穿电压Vbr：24.5V 反向工作电压Vrwm：20V 钳位电压Vc：32.4V
工作电压VR-VI(max): 20V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压 VC: 32.4V 功率-峰值脉冲: 400W 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12.3A 极性（单双向）: 双向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 20V 最小包装: 2000pcs 电压-断态: 20V 高度: 2.42mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 双向TVS二极管
描述: 封装/外壳：DO-214AC 峰值脉冲电流Ipp：12.3A 反向击穿电压Vbr：24.5V 反向工作电压Vrwm：20V 钳位电压Vc：32.4V
工作电压VR-VI(max): 20V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压 VC: 32.4V 功率-峰值脉冲: 400W 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12.3A 极性（单双向）: 双向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 20V 最小包装: 2000pcs 电压-断态: 20V 高度: 2.42mm 引脚数: 2Pin
SMF7.5CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: VRWM=8.33V，Vc=12.9V，Ipp=15.5A，双向
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 系列: SMF5.0A(CA) - SMF170A(CA) 极性（单双向）: 双向 通道数: 1 工作电压VR-VI(max): 7.5V 击穿电压 V(BR)-min: 8.33V 钳位电压 VC: 12.9V 峰值脉冲电流（Ipp）: 15.5A 峰值脉冲功率: 400W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-123FL
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: VRWM=8.33V，Vc=12.9V，Ipp=15.5A，双向
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 系列: SMF5.0A(CA) - SMF170A(CA) 极性（单双向）: 双向 通道数: 1 工作电压VR-VI(max): 7.5V 击穿电压 V(BR)-min: 8.33V 钳位电压 VC: 12.9V 峰值脉冲电流（Ipp）: 15.5A 峰值脉冲功率: 400W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOD-123FL
S9014-J6
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: L档
安装类型: SMT 品牌: MDD 功率耗散: 200mW 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 极性: NPN 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.40mm 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: L档
安装类型: SMT 品牌: MDD 功率耗散: 200mW 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 极性: NPN 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.40mm 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
HER307
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管
描述: 封装/外壳：DO-201AD 正向浪涌电流Ifsm：150A 反向峰值电压Vrrm：800V 反向电压Vr：800V 正向电流If：3A
安装类型: DIP 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: MDD 包装: Box packing 印字代码: MDD HER 307 正向压降VF: 1.7V 封装/外壳: DO-201AD 反向漏电流IR: 5uA 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: HER301 - HER308 反向峰值电压（最大值）: 800V 反向耐压VR: 800V 平均整流电流: 3A 最小包装: 200pcs 反向恢复时间(trr): 70ns 正向压降VF Max: 1.7V 高度: 5.60mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管
描述: 封装/外壳：DO-201AD 正向浪涌电流Ifsm：150A 反向峰值电压Vrrm：800V 反向电压Vr：800V 正向电流If：3A
安装类型: DIP 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: MDD 包装: Box packing 印字代码: MDD HER 307 正向压降VF: 1.7V 封装/外壳: DO-201AD 反向漏电流IR: 5uA 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: HER301 - HER308 反向峰值电压（最大值）: 800V 反向耐压VR: 800V 平均整流电流: 3A 最小包装: 200pcs 反向恢复时间(trr): 70ns 正向压降VF Max: 1.7V 高度: 5.60mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
BZT52C10S
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123 齐纳电压Vz：10V 齐纳阻抗Zzt：30 Ohms 功率：200mW 容差：±5%
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 稳压值Vz: 10V 最大耗散功率: 200mW 包装: Tape/Reel 印字代码: WF 反向电流Izt: 5mA 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 反向漏电流IR: 200nA 封装/外壳: SOD323 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) Zzk阻抗Max: 150Ω 标准稳压值: 10V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 高度: 0.90mm 引脚数: 2Pin 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123 齐纳电压Vz：10V 齐纳阻抗Zzt：30 Ohms 功率：200mW 容差：±5%
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 稳压值Vz: 10V 最大耗散功率: 200mW 包装: Tape/Reel 印字代码: WF 反向电流Izt: 5mA 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 反向漏电流IR: 200nA 封装/外壳: SOD323 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) Zzk阻抗Max: 150Ω 标准稳压值: 10V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 高度: 0.90mm 引脚数: 2Pin 应用: 通用
SMBJ54A
供应商: Anychip Mall
分类: 单向TVS二极管
描述: 封装/外壳：SMB(DO-214AA) 反向工作电压Vrwm：54V 钳位电压Vc：87.1V
工作电压VR-VI(max): 54V 安装类型: SMT 品牌: MDD 钳位电压 VC: 87.1V 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 功率-峰值脉冲: 600W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 6.9A 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 54V 电压-断态: 54V 认证信息: RoHS 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 单向TVS二极管
描述: 封装/外壳：SMB(DO-214AA) 反向工作电压Vrwm：54V 钳位电压Vc：87.1V
工作电压VR-VI(max): 54V 安装类型: SMT 品牌: MDD 钳位电压 VC: 87.1V 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 功率-峰值脉冲: 600W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 6.9A 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 54V 电压-断态: 54V 认证信息: RoHS 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin