TSC AMERICA INC.
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TSM60NB190CM2RNG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 31nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1273pF @ 100V Vgs（最大值）: ±30V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 150.6W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 190 毫欧 @ 6A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 31nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1273pF @ 100V Vgs（最大值）: ±30V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 150.6W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 190 毫欧 @ 6A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
BZT52B2V4RHG
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 2.4V 容差: ±2% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 100 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 45µA @ 1V 不同If时的电压-正向（Vf）: 1V @ 10mA 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 2.4V 容差: ±2% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 100 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 45µA @ 1V 不同If时的电压-正向（Vf）: 1V @ 10mA 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F
S1GLR3G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 400V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.1V @ 1A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 1.8µs 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 400V 不同 Vr，F时的电容: 9pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 400V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.1V @ 1A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 1.8µs 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 400V 不同 Vr，F时的电容: 9pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
TSD10H200CWMNG
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: * 零件状态: 在售
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: * 零件状态: 在售
YBS2204GRAG
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 2.2A 不同If时的电压-正向（Vf）: 970mV @ 2.2A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 400V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 4-SMD，扁平引线 供应商器件封装: YBS
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 2.2A 不同If时的电压-正向（Vf）: 970mV @ 2.2A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 400V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 4-SMD，扁平引线 供应商器件封装: YBS
TPC816S1BRAG
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
类别: 隔离器 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: TPC816 零件状态: 在售 通道数: 1 电压-隔离: 5000Vrms 电流传输比（最小值）: 130% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 260% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）: - 上升/下降时间（典型值）: 4µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压-输出（最大值）: 70V 电流-输出/通道: 50mA 电压-正向（Vf）（典型值）: 1.2V 电流-DC正向（If）: 50mA Vce饱和值（最大值）: 200mV 工作温度: -30°C ~ 100°C
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
类别: 隔离器 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: TPC816 零件状态: 在售 通道数: 1 电压-隔离: 5000Vrms 电流传输比（最小值）: 130% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 260% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）: - 上升/下降时间（典型值）: 4µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压-输出（最大值）: 70V 电流-输出/通道: 50mA 电压-正向（Vf）（典型值）: 1.2V 电流-DC正向（If）: 50mA Vce饱和值（最大值）: 200mV 工作温度: -30°C ~ 100°C
SS19LR3G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 90V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf）: 800mV @ 1A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 50µA @ 90V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA 工作温度-结: -55°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 90V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf）: 800mV @ 1A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 50µA @ 90V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA 工作温度-结: -55°C ~ 150°C
1SMA4742R3G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 12V 容差: ±5% 功率-最大值: 1.25W 阻抗（最大值）（Zzt）: 9 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1µA @ 9.1V 不同If时的电压-正向（Vf）: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 12V 容差: ±5% 功率-最大值: 1.25W 阻抗（最大值）（Zzt）: 9 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1µA @ 9.1V 不同If时的电压-正向（Vf）: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
SS14LWHRVG
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 40V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf）: 550mV @ 1A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 40V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOD-123W 供应商器件封装: SOD123W 工作温度-结: -55°C ~ 150°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 40V 电流-平均整流（Io）: 1A 不同If时的电压-正向（Vf）: 550mV @ 1A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 40V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOD-123W 供应商器件封装: SOD123W 工作温度-结: -55°C ~ 150°C
TSM150P03PQ33RGG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: P 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 36A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 29.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1829pF @ 15V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 27.8W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15 毫欧 @ 10A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 8-PDFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: P 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 36A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 29.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1829pF @ 15V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 27.8W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15 毫欧 @ 10A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 8-PDFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerWDFN