LRC

商品列表
MMBT3904LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=300mW
安装类型: SMT 电流-集电极截止(最大值): - 品牌: LRC 额定功率: 300mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 极性: NPN 跃迁频率: 300MHz 封装/外壳: SOT23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级(MSL): 1(无限) DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 Vce饱和压降(Max): 300mV 高度: 1.11mm 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
D35SB100
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 电压:1kV 电流:35A 正向压降(Vf):1.1V 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):35A 正向浪涌电流(Ifsm):400A
安装类型: DIP 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 长x宽/尺寸: 30.00 x 4.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DIP4 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 10A 反向峰值电压(最大值): 1KV 反向耐压VR: 1KV Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 400A 最小包装: 250pcs 正向压降VF Max: 1.05V 高度: 24.00mm 零件状态: Active 引脚数: 4Pin
SZAF10A
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SMA-FL 齐纳电压Vz:10V 功率:1W 齐纳阻抗Zzt:7 Ohms 反向漏电流Ir:2uA @ 7.6V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 正向电流: 200mA 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 10V 精度: ±5% 包装: Tape/Reel 存储温度: -50~+150℃ Zzt阻抗: 7Ω 反向漏电流IR: 2µA 封装/外壳: SMAFL 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+150℃ Zzk阻抗Max: 1.3KΩ 原产国家: China 反向耐压VR: 7.6V 最小包装: 3000pcs 功率耗散(最大值): 1W 正向压降VF Max: 1.2V 零件状态: Active
LMBT5551DW1T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 Dual NPN Ic=50nA Vceo=160V hfe=80 P=300mW SOT363-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: LRC 功率耗散: 225mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 额定功率: 225mW Vce饱和压降: 200mV 包装: Tape/reel 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT363 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 80 零件状态: Active 晶体管类型: 2个NPN
SZAF30A
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SMA-FL 齐纳电压Vz:30V 功率:1W 齐纳阻抗Zzt:40 Ohms 反向漏电流Ir:500nA @ 22.8V
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 最大耗散功率: 1W 稳压值Vz: 30V 品牌: LRC 精度: ±5% 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 存储温度: -50~+150℃ 封装/外壳: SMAFL 反向漏电流IR: 0.5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+150℃ 电流-DC正向(If): 200mA 反向耐压VR: 22.8V 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 1.2V 高度: 1.20mm
LMBZ5240BLT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:10V 功率:225mW 齐纳阻抗Zzt:17 Ohms 反向漏电流Ir:3uA @ 8V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 稳压值Vz: 10V 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 10.5V 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 反向漏电流IR: 3µA 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) Izk-稳定电流Min: 0.25mA 原产国家: China 标准稳压值: 10V 最小稳压值: 9.5V 反向耐压VR: 8V 功率耗散(最大值): 225mW 认证信息: RoHS 高度: 1.11mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
MMBD7000LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管(小信号)
描述: VR=100V IF=200mA Trr=4ns P=225mW
产品分类: 开关二极管(小信号)二极管 组态: - 反向耐压VR(max): 100V 正向压降VF: 0.7V 平均整流电流IF: 0.2A 反向漏电流IR: 1uA 反向恢复时间(trr): 4ns 总电容C: 1.5pF 应用: 通用 工作温度: -55℃~150℃ 封装/外壳: SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
LBC847BTT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 封装/外壳:SC-89 功率耗散Pd:200mW 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100mA
安装类型: SMT 品牌: LRC 功率耗散: 200mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -50℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.85mm 封装/外壳: SC89 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200~450 认证信息: RoHS Vce饱和压降(Max): 600mV 零件状态: Active 高度: 0.70mm 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
LN2670TZHG
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道 耐压:60V 电流:4.6A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):4.6A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.2V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: LRC 功率耗散: 1.5W 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.6A 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 612pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.60mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
LBC856BWT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用晶体管PNP硅 15nA 65V 150mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 650mV@100mA,5mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SC-70
安装类型: SMT 品牌: LRC 集电极-基极电压(VCBO): 80V 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. Vce饱和压降: 650mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 跃迁频率: 100MHz 印字代码: 3B 封装/外壳: SOT323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 220~475 认证信息: RoHS 零件状态: Active 高度: 0.90mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin