LRC
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LUR1100
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管
描述: 封装/外壳：DO-41 正向浪涌电流Ifsm：30A 反向峰值电压Vrrm：1000V 反向电压Vr：1000V 正向电流If：1A
安装类型: DIP 是否无铅: Yes 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ2.70 x 5.20mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DO41 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 1A 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 75ns 正向压降VF Max: 1.85V 零件状态: Active 高度: 2.70mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管
描述: 封装/外壳：DO-41 正向浪涌电流Ifsm：30A 反向峰值电压Vrrm：1000V 反向电压Vr：1000V 正向电流If：1A
安装类型: DIP 是否无铅: Yes 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: Φ2.70 x 5.20mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: DO41 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 1A 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 75ns 正向压降VF Max: 1.85V 零件状态: Active 高度: 2.70mm 引脚数: 2Pin
LP4101LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 封装/外壳：SOT-23 FET类型：P-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±8V 漏源极电压Vds：-20V
安装类型: SMT 品牌: LRC 功率耗散: 900mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 388pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 高度: 1.01mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 封装/外壳：SOT-23 FET类型：P-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±8V 漏源极电压Vds：-20V
安装类型: SMT 品牌: LRC 功率耗散: 900mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 388pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 高度: 1.01mm 引脚数: 3Pin
LBC846BWT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 封装/外壳：SOT-323 功率耗散Pd：150mW 晶体管类型：NPN 集电极-发射极最大电压VCEO：65V 集电极连续电流：100mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: LRC 功率耗散: 150mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 额定功率: 150mW 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 600mV 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200~450 零件状态: Active 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 封装/外壳：SOT-323 功率耗散Pd：150mW 晶体管类型：NPN 集电极-发射极最大电压VCEO：65V 集电极连续电流：100mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: LRC 功率耗散: 150mW 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 额定功率: 150mW 集射极击穿电压Vce(Max): 65V 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 600mV 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200~450 零件状态: Active 晶体管类型: NPN
D25SB100
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 大电流玻璃钝化成型单相桥式整流器 反向电压100至1000V正向电流25 A
安装类型: DIP 是否无铅: Yes 正向电流: 12.5A 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 30.00 x 4.60mm 封装/外壳: DB_30X4.6MM_TM 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 350A 平均整流电流: 3.5A 最小包装: 250pcs 零件状态: Active 高度: 24.00mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 大电流玻璃钝化成型单相桥式整流器 反向电压100至1000V正向电流25 A
安装类型: DIP 是否无铅: Yes 正向电流: 12.5A 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Box packing 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 30.00 x 4.60mm 封装/外壳: DB_30X4.6MM_TM 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 350A 平均整流电流: 3.5A 最小包装: 250pcs 零件状态: Active 高度: 24.00mm 引脚数: 4Pin
LMBZ5230BLT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳：SOT-23 齐纳电压Vz：4.7V 功率：225mW 齐纳阻抗Zzt：19 Ohms 反向漏电流Ir：5uA @ 2V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 热阻: 417℃/W 正向电流: 10mA 稳压值Vz: 4.7V 品牌: LRC Izt-测试电流: 20mA 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 封装/外壳: SOT23 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) Zzk阻抗Max: 1.9KΩ 原产国家: China 应用等级: AEC-Q101 反向耐压VR: 2V 稳态电流: 20mA 功率耗散（最大值）: 225mW 正向压降VF Max: 900mV
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳：SOT-23 齐纳电压Vz：4.7V 功率：225mW 齐纳阻抗Zzt：19 Ohms 反向漏电流Ir：5uA @ 2V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 热阻: 417℃/W 正向电流: 10mA 稳压值Vz: 4.7V 品牌: LRC Izt-测试电流: 20mA 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 封装/外壳: SOT23 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) Zzk阻抗Max: 1.9KΩ 原产国家: China 应用等级: AEC-Q101 反向耐压VR: 2V 稳态电流: 20mA 功率耗散（最大值）: 225mW 正向压降VF Max: 900mV
LBSS260DW1T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 封装/外壳：SOT-363
安装类型: SMT 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 连续漏极电流Id@25℃: 200mA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT363 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 封装/外壳：SOT-363
安装类型: SMT 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 连续漏极电流Id@25℃: 200mA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT363 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 6Pin
SM360A
供应商: Anychip Mall
分类: 其他二极管
描述: 肖特基势垒整流器反向电压20至100V正向电流3.0A DO214AC
安装类型: SMT 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -40~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.30 x 2.80mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: DO214AC 元件生命周期: Active 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 100A 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 2.55mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 其他二极管
描述: 肖特基势垒整流器反向电压20至100V正向电流3.0A DO214AC
安装类型: SMT 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -40~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.30 x 2.80mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: DO214AC 元件生命周期: Active 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 100A 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 2.55mm 引脚数: 2Pin
LP2307LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 小信号MOSFET
描述: P沟道 -16V
安装类型: SMT 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.7A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 16V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 小信号MOSFET
描述: P沟道 -16V
安装类型: SMT 品牌: LRC 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.7A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 16V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
EFMB208
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管
描述: 封装/外壳：DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm：50A 反向峰值电压Vrrm：600V 反向电压Vr：600V 正向电流If：2A
安装类型: SMT 品牌: LRC 总电容C: 15pF 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 3.60mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMB 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 2A 反向峰值电压（最大值）: 600V 反向耐压VR: 600V 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.7V 零件状态: Active 高度: 2.35mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管
描述: 封装/外壳：DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm：50A 反向峰值电压Vrrm：600V 反向电压Vr：600V 正向电流If：2A
安装类型: SMT 品牌: LRC 总电容C: 15pF 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 3.60mm 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMB 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 2A 反向峰值电压（最大值）: 600V 反向耐压VR: 600V 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1.7V 零件状态: Active 高度: 2.35mm 引脚数: 2Pin