WINSOK
商品列表
WSP4445
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：±25V 漏源极电压Vds：-40V 连续漏极电流Id：-17.6A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 4.2W 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 16.7A 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 输入电容Ciss: 2.764nF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: -16.7A 充电电量: 60nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.75mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：±25V 漏源极电压Vds：-40V 连续漏极电流Id：-17.6A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 4.2W 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 16.7A 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 输入电容Ciss: 2.764nF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: -16.7A 充电电量: 60nC 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.75mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
WSD14N10DN
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN3X3-8L FET类型：N-Channel 工作温度：-55°C~150°C 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：100V
安装类型: SMT 功率耗散: 17W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 14A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 长x宽/尺寸: 3.10 x 3.10mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM 输入电容Ciss: 350pF 反向传输电容Crss: 1.4pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 160mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN3X3-8L FET类型：N-Channel 工作温度：-55°C~150°C 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：100V
安装类型: SMT 功率耗散: 17W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 14A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 长x宽/尺寸: 3.10 x 3.10mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM 输入电容Ciss: 350pF 反向传输电容Crss: 1.4pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 160mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道
WSP4409A
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：N+P-Channel 栅极电压Vgs：2.5V @ 250uA 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：7A(Tc),6A(Tc)
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 额定功率: 2.5W 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 15A 极性: P-沟道 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP8 输入电容Ciss: 3.5nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 72nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 72nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：N+P-Channel 栅极电压Vgs：2.5V @ 250uA 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：7A(Tc),6A(Tc)
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 额定功率: 2.5W 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 15A 极性: P-沟道 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP8 输入电容Ciss: 3.5nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 72nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 72nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
WSR80P06
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220 FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：-60V 连续漏极电流Id：-50A
安装类型: DIP 功率耗散: 86.8W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流Id@25℃: 50A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220AB-3 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 141pF 输入电容Ciss: 3.635nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220 FET类型：P-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：-60V 连续漏极电流Id：-50A
安装类型: DIP 功率耗散: 86.8W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流Id@25℃: 50A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220AB-3 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 141pF 输入电容Ciss: 3.635nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer
WSC40N06
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-251 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：60V 连续漏极电流Id：50A
安装类型: DIP 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 50A 包装: Tube packing 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO251 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 85pF 输入电容Ciss: 1.68nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 28nC 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 80pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 6.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-251 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：60V 连续漏极电流Id：50A
安装类型: DIP 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 50A 包装: Tube packing 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO251 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 85pF 输入电容Ciss: 1.68nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 28nC 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 80pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 6.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSD4080DN56
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN5X6-8 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：85A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 52.1W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 85A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM 输入电容Ciss: 2.354nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.4mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN5X6-8 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：85A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 52.1W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 85A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM 输入电容Ciss: 2.354nF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 20nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.4mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
WSD45P10DN56
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN5X6-8 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：2.5V @ 250uA 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：20A(Tc)
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 额定功率: 104W 连续漏极电流Id@25℃: 27.5A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 输入电容Ciss: 2.59nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 75nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 81mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 75nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN5X6-8 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：2.5V @ 250uA 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：20A(Tc)
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 额定功率: 104W 连续漏极电流Id@25℃: 27.5A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 输入电容Ciss: 2.59nF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 75nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 81mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 75nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: P沟道
WST6003
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 6 ID(A)Max. 0.3 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.17V 800 Qg(nC)@4.5V 3 QgS(nC) 1 Qgd(nC) 0.8 Ciss(pF) - Coss(pF) - Crss(pF) -
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 150mW 阈值电压Vgs(th): 450mV@250µA（最小） 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 350mA 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT523 栅极源极击穿电压: ±6V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 漏极电流Idss: -0.35A 充电电量: 3nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.2Ω 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.90mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 6 ID(A)Max. 0.3 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.17V 800 Qg(nC)@4.5V 3 QgS(nC) 1 Qgd(nC) 0.8 Ciss(pF) - Coss(pF) - Crss(pF) -
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 150mW 阈值电压Vgs(th): 450mV@250µA（最小） 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 350mA 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT523 栅极源极击穿电压: ±6V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 漏极电流Idss: -0.35A 充电电量: 3nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.2Ω 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.90mm 晶体管类型: P沟道
WSF3036
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-2L FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：30V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 22W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 36A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 输入电容Ciss: 530pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-252-2L FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：30V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 22W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 36A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252 输入电容Ciss: 530pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 25mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
WSP4982
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：Dual N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：7A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.28W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.6V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 7A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP8 反向传输电容Crss: 60pF 输入电容Ciss: 815pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5nC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOP-8 FET类型：Dual N-Channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：7A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.28W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 阈值电压Vgs(th): 1.6V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 7A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP8 反向传输电容Crss: 60pF 输入电容Ciss: 815pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5nC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: 2个N沟道(双) 引脚数: 8Pin