BLUE ROCKET
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BRD2N60
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel Vdss=600V Id=2A Pd=37W
安装类型: SMT 击穿电压: 600V 阈值电压: 4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 4.5pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4Ω 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 600V 高度: 6.25mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel Vdss=600V Id=2A Pd=37W
安装类型: SMT 击穿电压: 600V 阈值电压: 4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 4.5pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4Ω 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 600V 高度: 6.25mm 晶体管类型: N沟道
BRCS3407MC
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1.4W 阈值电压: -1.4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.1A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 75pF 输入电容Ciss: 700pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 54mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1.4W 阈值电压: -1.4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.1A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 75pF 输入电容Ciss: 700pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 54mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
BRCS4606SC
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel,P-Channel SOP8_150MIL Vdss=±30V Vgss=±12V Pd=2W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 击穿电压: 30V 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.3V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.9A 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32.3mΩ 原产国家: China 输入电容: 680pF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel,P-Channel SOP8_150MIL Vdss=±30V Vgss=±12V Pd=2W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 击穿电压: 30V 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.3V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.9A 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32.3mΩ 原产国家: China 输入电容: 680pF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm
BRD70N03
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.2V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 62.8A 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 1.333nF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 218pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.6mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 6.25mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.2V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 62.8A 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 1.333nF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 218pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.6mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 6.25mm 晶体管类型: N沟道
BRCS2302AMA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@4.5V,3.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@50uA
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 3A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 21V 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: - 栅极源极击穿电压: ±10V 反向传输电容Crss: - 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 59mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:3A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@4.5V,3.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@50uA
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 3A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 21V 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: - 栅极源极击穿电压: ±10V 反向传输电容Crss: - 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 59mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道
BRCS80N03DP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: BRCS80N03DP
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.7V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 80A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 7.50 x 6.75mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 2.09nF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 634pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.8mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: BRCS80N03DP
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.7V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 80A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 7.50 x 6.75mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 2.09nF 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 634pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.8mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
BR8205
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 2个N沟道(共漏) 耐压:20V 电流:6A 类型:2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.2V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 1.035nF 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 150pF 工作温度: +150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 晶体管类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 2个N沟道(共漏) 耐压:20V 电流:6A 类型:2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.2V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 1.035nF 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 150pF 工作温度: +150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 晶体管类型: 2个N沟道
78D05
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输入35V 输出5V 1.5A 输出类型:固定 最大输入电压:35V 输出电压:5V 输出电流:1.5A 电源纹波抑制比(PSRR):62dB@(120Hz) 输出极性:正
安装类型: SMT 电源抑制比(PSRR): 62dB 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 极性: Positive 输入电压: 35V 输出端数: 1 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: 固定 封装/外壳: TO252-3 元件生命周期: Active 工作温度: 0℃~+125℃ 负荷调节: 100mV 原产国家: China 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 最小包装: 2500pcs 输出电压: 5V 高度: 2.40mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输入35V 输出5V 1.5A 输出类型:固定 最大输入电压:35V 输出电压:5V 输出电流:1.5A 电源纹波抑制比(PSRR):62dB@(120Hz) 输出极性:正
安装类型: SMT 电源抑制比(PSRR): 62dB 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 极性: Positive 输入电压: 35V 输出端数: 1 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: 固定 封装/外壳: TO252-3 元件生命周期: Active 工作温度: 0℃~+125℃ 负荷调节: 100mV 原产国家: China 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 最小包装: 2500pcs 输出电压: 5V 高度: 2.40mm 引脚数: 4Pin
BRCS5N10MC
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:100V 电流:5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):235mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 830mW 阈值电压Vgs(th): 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 440pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 175mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:100V 电流:5A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):235mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 830mW 阈值电压Vgs(th): 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 100V 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 440pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 175mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道
7805
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: TO-220 塑封封装电压调整器 5V 1.5A
安装类型: DIP 输出配置: Positive 品牌: BLUE ROCKET 电源抑制比(PSRR): 73dB 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 输入电压: 35V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.70mm 封装/外壳: TO220 输出类型: 固定 元件生命周期: Active 负荷调节: 100mV 工作温度: +150℃ 原产国家: China 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 输出电压精度: ±5% 最小包装: 50pcs 输出电压: 5V 高度: 16.10mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: TO-220 塑封封装电压调整器 5V 1.5A
安装类型: DIP 输出配置: Positive 品牌: BLUE ROCKET 电源抑制比(PSRR): 73dB 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 输入电压: 35V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.70mm 封装/外壳: TO220 输出类型: 固定 元件生命周期: Active 负荷调节: 100mV 工作温度: +150℃ 原产国家: China 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 输出电压精度: ±5% 最小包装: 50pcs 输出电压: 5V 高度: 16.10mm 引脚数: 3Pins