HOTTECH
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APM4953
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 2个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.9A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.6V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.1A 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: SOP8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 70pF 漏极电流Idss: -5.1A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 105mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 2个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.9A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.6V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.1A 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: SOP8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 70pF 漏极电流Idss: -5.1A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 105mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
B0540W-MBF
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=40V IF=500mA 170pF P=500mW
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 最大耗散功率: 500mW 品牌: Hottech 总电容C: 170pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 510mV 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 20µA 封装/外壳: SOD123 元件生命周期: Active 工作温度: +125℃ 平均整流电流IF: 500mA 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): - 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=40V IF=500mA 170pF P=500mW
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 最大耗散功率: 500mW 品牌: Hottech 总电容C: 170pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 510mV 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 20µA 封装/外壳: SOD123 元件生命周期: Active 工作温度: +125℃ 平均整流电流IF: 500mA 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): - 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
B772(1.5A)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：550mV@1A 反向电流(Ir)：500μA@40V
安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOT-89 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 功率(Max): 500mW DC电流增益(hFE)(Min&Range): - 跃迁频率: 50MHz 工作温度(Tj): 150°C 集电极电流Ic(Max): 1500mA Vce饱和压降(Max): 500mV 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：550mV@1A 反向电流(Ir)：500μA@40V
安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOT-89 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 功率(Max): 500mW DC电流增益(hFE)(Min&Range): - 跃迁频率: 50MHz 工作温度(Tj): 150°C 集电极电流Ic(Max): 1500mA Vce饱和压降(Max): 500mV 晶体管类型: PNP
SS56BF
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=60V IF=5A 500pF
产品分类: 肖特基二极管二极管 组态: Single 反向耐压VR(max): 60V 正向压降VF: 0.7V 平均整流电流IF: 5A 反向漏电流IR: 1000uA 反向恢复时间(trr): - 应用: 通用 工作温度: -50℃~125℃ 封装/外壳: SMBF
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=60V IF=5A 500pF
产品分类: 肖特基二极管二极管 组态: Single 反向耐压VR(max): 60V 正向压降VF: 0.7V 平均整流电流IF: 5A 反向漏电流IR: 1000uA 反向恢复时间(trr): - 应用: 通用 工作温度: -50℃~125℃ 封装/外壳: SMBF
SS26A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管VR=60V IF=2A SMA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 参考重量: 0.102g 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 长x宽/尺寸: 4.75 x 2.83mm 封装/外壳: SMA 反向漏电流IR: 1mA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 2A 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 700mV 高度: 2.30mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管VR=60V IF=2A SMA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 参考重量: 0.102g 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 长x宽/尺寸: 4.75 x 2.83mm 封装/外壳: SMA 反向漏电流IR: 1mA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 2A 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 700mV 高度: 2.30mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
2SA1797-AGQ
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-2A Vceo=-50V hfe=82~270 fT=200MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 500mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 跃迁频率: 200MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 2A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 82 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-2A Vceo=-50V hfe=82~270 fT=200MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 500mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 跃迁频率: 200MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 2A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 82 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP
2SC2712-LY
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=150mA Vceo=50V hfe=120~240 fT=80MHz LY档 SOT-23
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 工作温度: +125℃ 集电极电流 Ic: 150mA 功率耗散: 150mW Vce饱和压降: 250mV 集射极击穿电压Vce(Max): 50V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 跃迁频率: 80MHz 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=150mA Vceo=50V hfe=120~240 fT=80MHz LY档 SOT-23
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 工作温度: +125℃ 集电极电流 Ic: 150mA 功率耗散: 150mW Vce饱和压降: 250mV 集射极击穿电压Vce(Max): 50V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 跃迁频率: 80MHz 晶体管类型: NPN
BCX53-AH
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-1A Vceo=-80V hfe=40~250 fT=150MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 1W 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 跃迁频率: 150MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 1A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 25 Vce饱和压降(Max): - 0.5V 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-1A Vceo=-80V hfe=40~250 fT=150MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 1W 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 跃迁频率: 150MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 1A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 25 Vce饱和压降(Max): - 0.5V 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP
2SD965-HD
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=3A Vceo=20V hfe=230~800 fT=150MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 500mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 20V 跃迁频率: 150MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 3A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 150 Vce饱和压降(Max): 1V 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=3A Vceo=20V hfe=230~800 fT=150MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 500mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 20V 跃迁频率: 150MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 3A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 150 Vce饱和压降(Max): 1V 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN
D882L
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=3A Vceo=30V hfe=60~400 fT=50MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 500mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 额定功率: 500mW 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 3A 集电极-发射极电压 VCEO: 30V 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 32 零件状态: Active 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=3A Vceo=30V hfe=60~400 fT=50MHz
安装类型: SMT 品牌: Hottech 功率耗散: 500mW 原始制造商: Guangdong Hottech Co. Ltd. 额定功率: 500mW 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 3A 集电极-发射极电压 VCEO: 30V 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 32 零件状态: Active 晶体管类型: NPN