ALLPOWER
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APG095N01K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:100V 电流:60A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):63W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 60A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 2.122nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 41.8nC 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:100V 电流:60A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):63W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 2V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 60A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 2.122nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 41.8nC 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AP3010
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:10A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 阈值电压Vgs(th): 1.6V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 10A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 输入电容Ciss: 1.55nF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 10A 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 13nC 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:10A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 阈值电压Vgs(th): 1.6V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 10A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 输入电容Ciss: 1.55nF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 10A 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 13nC 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道
AP30H150K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:120A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@20V,120A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 108W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.5V 连续漏极电流Id@25℃: 120A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 2.68nF 反向传输电容Crss: 330pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 30nC 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:120A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@20V,120A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 108W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.5V 连续漏极电流Id@25℃: 120A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 2.68nF 反向传输电容Crss: 330pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 30nC 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active
AP60P20Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：80W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 80W 阈值电压: 0.6V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 440pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 3.6nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 55nC 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：80W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 80W 阈值电压: 0.6V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 60A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 440pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 3.6nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 55nC 零件状态: Active
AP4616
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 2W 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 9.8A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13.5mΩ 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC 高度: 1.75mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.8/-7.6A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 2W 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 9.8A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13.5mΩ 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC 高度: 1.75mm
AP3407
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.4V@250µA 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 漏极电流: -4.1A 输入电容Ciss: 700pF 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.50mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±20V ID=4.1A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 阈值电压: 1.4V@250µA 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 漏极电流: -4.1A 输入电容Ciss: 700pF 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.50mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
AP30H50Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:40A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 30W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 40A 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: PDFN8L_3X3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 152pF 输入电容Ciss: 1.116nF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.5mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 13.3nC 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:40A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 30W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 40A 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: PDFN8L_3X3MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 152pF 输入电容Ciss: 1.116nF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.5mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 13.3nC 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active
AP4410
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:15A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 3W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.5V 连续漏极电流Id@25℃: 15A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.5mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 13.3nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:15A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 3W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.5V 连续漏极电流Id@25℃: 15A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.5mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 13.3nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 零件状态: Active
AP2300
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:5.2A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5.2A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@2.5V,5.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 0.7V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.2A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容Ciss: 630pF 工作温度: +150℃ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 11nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:5.2A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5.2A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@2.5V,5.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 0.7V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.2A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容Ciss: 630pF 工作温度: +150℃ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 11nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AP4435C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:10A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):3.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 3.7W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): -2.5V 连续漏极电流Id@25℃: 10A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: -30V 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 30nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:10A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):3.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 3.7W 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): -2.5V 连续漏极电流Id@25℃: 10A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: -30V 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.00mm 封装/外壳: SO8 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 30nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 零件状态: Active