BORN

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BESDU0603-14
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):550mV@1A 反向电流(Ir):500μA@40V
工作电压VR-VI(max): 14V 安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1nA 钳位电压 VC: 30V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.60 x 0.80mm 结电容值: 0.15pF@1MHz 封装/外壳: 0603 结电容Cj: 0.15pF 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流(Ipp): - 系列: BESDU0603 极性(单双向): 双向 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 认证信息: RoHS 高度: 0.80mm 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
BE6208
供应商: Anychip Mall
分类: 电机驱动器及控制器
描述: 可替代UTC6208等
安装类型: SMT 品牌: Born 电源电压: 4.5V~15V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: 卷装 输入电压: 12V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 电源电流: 22mA 工作温度: -20℃~+80℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 最小包装: 3000pcs 高度: 1.77mm 零件状态: Active 引脚数: 8Pins
PESD15VL1BA-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 空气30KA 接触30KA
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 15V 是否无铅: Yes 品牌: BORN 钳位电压 VC: 32V 反向漏电流 IR: 0.5uA 电源电压: 15V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 结电容值: 20pF@1MHz 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 10A 极性(单双向): 双向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 16.7V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.00mm
SMFJ15CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 200W VRWM=15V 双向 功率TVS 电源口
工作电压VR-VI(max): 15V 安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1uA 钳位电压 VC: 24.4V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 无卤: Yes 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 封装/外壳: SOD123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 8.2A 极性(单双向): 双向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 16.7V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 高度: 1.40mm 零件状态: Active 应用: Computer Server,Industrial,Consumer
SI2301S
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):210mΩ@2.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: BORN 功率耗散: 1W 阈值电压: -0.6V 额定功率: 1W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 工作温度: +150℃ 充电电量: 5.3nC 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 210mΩ 输入电容: 177pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 5.3nC 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道
SMFJ24A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SOD-123FL 200W VRWM=24V 单向 功率TVS 电源口
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 24V 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1uA 断态电压: 24V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 封装/外壳: SOD123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 5.10A 击穿电压 V(BR)-min: 26.7V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.40mm 应用: Computer Server,Industrial,Consumer 引脚数: 2Pin
DSS34
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):550mV@1A 反向电流(Ir):500μA@40V
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 存储温度: -50~+150℃ 封装/外壳: SOD123FL 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+125℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 3A 二极管类型: Schottky 反向峰值电压(最大值): 40V 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 80A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -50°C~125°C 零件状态: Active
SI2333
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 阈值电压Vgs(th): ±8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.1A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: -0.4V 工作温度: +150℃ 漏极电流Idss: -1μA 原产国家: China 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 38mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 920pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 认证信息: Active 高度: 0.97mm
RCLAMP7534P-N
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: DFN2010 5V Cj=0.28PF
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 5V 钳位电压 VC: 13V 反向漏电流 IR: 0.1uA 功率-峰值脉冲: 45W 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 9.5V 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.00mm 结电容值: 0.28pF@1MHz 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: DFN2010-5 结电容Cj: 0.28pF 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 3.5A 极性(单双向): 单向 击穿电压 V(BR)-min: 7.2V 通道数: 5 电压-断态: 5V 高度: 0.50mm 零件状态: Active
PESD5V0L2BTN
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 静电TVS PCAN/串口
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 5V 是否无铅: Yes 钳位电压 VC: 20V 反向漏电流 IR: 0.1uA 功率-峰值脉冲: 350W 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 8.5V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 结电容值: 65pF@1MHz 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: SOT23 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 22A 极性(单双向): 双向 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 2 电压-断态: 5V 高度: 1.00mm 引脚数: 3Pin