BORN
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ESD9L5.0ST5G-N
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 静电TVS
安装类型: SMT 封装/外壳: DFN1006 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.50mm 反向漏电流 IR: 0.1uA 最大安装高度: 0.50mm 结电容值: 0.6pF@1MHz 包装: Tape/Reel 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 极性（单双向）: Unidirectional 工作电压VR-VI(max): 5V 击穿电压 V(BR)-min: 7.5V 峰值脉冲功率: 45W 钳位电压 VC: 13V 工作温度: -55~+125℃ 反向击穿电压Min: 6V 引脚数: 2Pins 认证信息: RoHS 应用: Computer Server,Industrial,Consumer 系列: ESD 存储温度: -55~+125℃
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 静电TVS
安装类型: SMT 封装/外壳: DFN1006 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.50mm 反向漏电流 IR: 0.1uA 最大安装高度: 0.50mm 结电容值: 0.6pF@1MHz 包装: Tape/Reel 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 极性（单双向）: Unidirectional 工作电压VR-VI(max): 5V 击穿电压 V(BR)-min: 7.5V 峰值脉冲功率: 45W 钳位电压 VC: 13V 工作温度: -55~+125℃ 反向击穿电压Min: 6V 引脚数: 2Pins 认证信息: RoHS 应用: Computer Server,Industrial,Consumer 系列: ESD 存储温度: -55~+125℃
PESD24VS1UB-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SOT-523 24V 单向 225W
工作电压VR-VI(max): 24V 安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5uA 断态电压: 24V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD523 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 26.7V 最小包装: 5000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 0.7mm 结电容: 30pF@1MHz 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SOT-523 24V 单向 225W
工作电压VR-VI(max): 24V 安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5uA 断态电压: 24V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD523 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 26.7V 最小包装: 5000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 0.7mm 结电容: 30pF@1MHz 零件状态: Active
BST236A054U
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: VRWM=5V Unipolar USB口 网口
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压 VC: 10V 反向漏电流 IR: 500nA 功率-峰值脉冲: 45W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 结电容值: 0.3pF@1MHz 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.5A 极性（单双向）: 单向 击穿电压 V(BR)-min: 6V 最小包装: 3000pcs 通道数: 4 高度: 1.25mm 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: VRWM=5V Unipolar USB口 网口
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压 VC: 10V 反向漏电流 IR: 500nA 功率-峰值脉冲: 45W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 结电容值: 0.3pF@1MHz 存储温度: -55~+125℃ 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.5A 极性（单双向）: 单向 击穿电压 V(BR)-min: 6V 最小包装: 3000pcs 通道数: 4 高度: 1.25mm 引脚数: 6Pin
PESD5V0S1UB-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SOT-523 5V 单向
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5uA 电源电压: 5V 断态电压: 5V 功率-峰值脉冲: 250W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD523 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 15A 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 0.7mm 结电容: 80pF@1MHz 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SOT-523 5V 单向
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5uA 电源电压: 5V 断态电压: 5V 功率-峰值脉冲: 250W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD523 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 15A 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 0.7mm 结电容: 80pF@1MHz 引脚数: 2Pin
PESD5V0X1BL-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: DFN1006 5V 双向
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 20μA 电源电压: 5V 断态电压: 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 封装/外壳: DFN1006 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 7A 击穿电压 V(BR)-min: 7.5V 最小包装: 10000pcs 通道数: 1 高度: 0.55mm 结电容: 0.7pF@1MHz 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: DFN1006 5V 双向
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 20μA 电源电压: 5V 断态电压: 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 封装/外壳: DFN1006 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 7A 击穿电压 V(BR)-min: 7.5V 最小包装: 10000pcs 通道数: 1 高度: 0.55mm 结电容: 0.7pF@1MHz 零件状态: Active
SS26SMB
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 表面安装肖特基势垒整流器 SMB VRRM=60V Io=2A IR=0.4mA
安装类型: SMT 品牌: Born 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 750mV 反向漏电流IR: 400nA 封装/外壳: SMB 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 原产国家: China 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 75A 平均整流电流: 2A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -55°C~125°C 正向压降VF Max: 750mV 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 表面安装肖特基势垒整流器 SMB VRRM=60V Io=2A IR=0.4mA
安装类型: SMT 品牌: Born 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 750mV 反向漏电流IR: 400nA 封装/外壳: SMB 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 原产国家: China 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 75A 平均整流电流: 2A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -55°C~125°C 正向压降VF Max: 750mV 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
BSD5C121V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD523 10pF VC=24V IPP=5A
工作电压VR-VI(max): 12V 安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5uA 电源电压: 12V 断态电压: 12V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD523 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 13.3V 最小包装: 5000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 结电容: 10pF@1MHz 高度: 0.7mm
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD523 10pF VC=24V IPP=5A
工作电压VR-VI(max): 12V 安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.5uA 电源电压: 12V 断态电压: 12V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD523 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 13.3V 最小包装: 5000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 结电容: 10pF@1MHz 高度: 0.7mm
SM8S33A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: DO-218AB 6600W VRWM=33V 单向 车载TVS 电源口
工作电压VR-VI(max): 33V 安装类型: SMT 品牌: BORN 钳位电压 VC: 53.3V 反向漏电流 IR: 5uA. 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 40.60V 长x宽/尺寸: 13.70 x 8.70mm 封装/外壳: DO218AB 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 124A 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 36.7V 通道数: 1 电压-断态: 33V 认证信息: RoHS 高度: 5.10mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: DO-218AB 6600W VRWM=33V 单向 车载TVS 电源口
工作电压VR-VI(max): 33V 安装类型: SMT 品牌: BORN 钳位电压 VC: 53.3V 反向漏电流 IR: 5uA. 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 40.60V 长x宽/尺寸: 13.70 x 8.70mm 封装/外壳: DO218AB 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 124A 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 36.7V 通道数: 1 电压-断态: 33V 认证信息: RoHS 高度: 5.10mm 零件状态: Active
SMBJ6.8A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 6.8V 单向
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 500uA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 系列: SMBJ 极性（单双向）: 单向 工作电压VR-VI(max): 5.8V 击穿电压 V(BR)-min: 6.45V 钳位电压 VC: 10.5V 峰值脉冲电流（Ipp）: 58.1A 峰值脉冲功率: 600W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMB(DO-214AA)
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 6.8V 单向
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 反向漏电流 IR: 500uA 零件状态: 在售 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 系列: SMBJ 极性（单双向）: 单向 工作电压VR-VI(max): 5.8V 击穿电压 V(BR)-min: 6.45V 钳位电压 VC: 10.5V 峰值脉冲电流（Ipp）: 58.1A 峰值脉冲功率: 600W 工作温度: -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMB(DO-214AA)
PESD5V2S2UT-N
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: SOT-23 5V 单向 静电TVS PCAN/串口
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.5uA 钳位电压 VC: 16V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 8.5V 结电容值: 120pF@1MHz 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 20A 极性（单双向）: 双向 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 1 最小包装: 3000pcs 电压-断态: 5V 高度: 1.15mm
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: SOT-23 5V 单向 静电TVS PCAN/串口
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 0.5uA 钳位电压 VC: 16V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 8.5V 结电容值: 120pF@1MHz 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 20A 极性（单双向）: 双向 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 1 最小包装: 3000pcs 电压-断态: 5V 高度: 1.15mm