VBSEMI
商品列表
AP2306GN
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,20V,6A,28mΩ@4.5V
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压Vgs(th): 1V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 输入电容Ciss: 865pF 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 18nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,20V,6A,28mΩ@4.5V
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压Vgs(th): 1V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 输入电容Ciss: 865pF 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 18nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
NTR4503NT1G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.1W 连续漏极电流Id@25℃: 5.3A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 17pF 输入电容Ciss: 335pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 6.7nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.1W 连续漏极电流Id@25℃: 5.3A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 17pF 输入电容Ciss: 335pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 6.7nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
VBZA9410
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:13A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 2.2W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 10A 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±16V 输入电容Ciss: 800pF 反向传输电容Crss: 73pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 15nC 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:13A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 2.2W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 10A 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±16V 输入电容Ciss: 800pF 反向传输电容Crss: 73pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 15nC 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道
VB1101M
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,100V,4.3A,100mΩ@10V
安装类型: SMT 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 连续漏极电流Id@25℃: 3.6A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 100V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.9nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 10.4nC 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS, HF(halogen free), 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,100V,4.3A,100mΩ@10V
安装类型: SMT 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 连续漏极电流Id@25℃: 3.6A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 100V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 13pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.9nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 10.4nC 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS, HF(halogen free), 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
VBK2298
供应商: Anychip Mall
分类: 小信号MOSFET
描述: P沟道,-20V,-3A,98mΩ@4.5V
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 400mW 连续漏极电流Id@25℃: 1.4A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 存储温度: -50℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT323 输入电容Ciss: 272pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.3nC 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 6.5nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 小信号MOSFET
描述: P沟道,-20V,-3A,98mΩ@4.5V
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 400mW 连续漏极电流Id@25℃: 1.4A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 存储温度: -50℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT323 输入电容Ciss: 272pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.3nC 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 6.5nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
AO6800
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3.5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP6 输入电容Ciss: 400pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.8nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 22mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3.5A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 封装/外壳: TSOP6 输入电容Ciss: 400pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.8nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 22mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 6Pin
AP9435GG
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2.5W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 6A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: SOT89 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 13nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 38nC 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2.5W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 6A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: SOT89 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 13nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 38nC 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
SI2305ADS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 连续漏极电流Id@25℃: 4.5A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 155pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 连续漏极电流Id@25℃: 4.5A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 反向传输电容Crss: 155pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道
AO4816
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.2A RDS(ON)=20mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 7.2A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: SOIC8_150MIL 输入电容Ciss: 660pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 22nC 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.2A RDS(ON)=20mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 7.2A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: SOIC8_150MIL 输入电容Ciss: 660pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 22nC 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 8Pin
SSF2341E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 连续漏极电流Id@25℃: 4.5A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 155pF 输入电容Ciss: 835pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 6.4nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 连续漏极电流Id@25℃: 4.5A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 155pF 输入电容Ciss: 835pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 6.4nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: P沟道