VBSEMI
商品列表
2SJ179
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2.5W 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 13nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 38nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2.5W 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 145pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 13nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 38nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
AO6601
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): - 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.5A,3.4A 极性: N-沟道,P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP6 输入电容Ciss: - 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: - 栅极电荷(Qg)(Max): 3.6nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): - 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.5A,3.4A 极性: N-沟道,P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 3.05 x 1.65mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TSOP6 输入电容Ciss: - 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: - 栅极电荷(Qg)(Max): 3.6nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET
AO7401
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.4A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT323
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 400mW 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 1.4A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT323 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.4A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT323
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 400mW 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 1.4A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT323 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 晶体管类型: MOSFET 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
SI1967DH-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SOT363
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.14W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 1.6A 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: - 封装/外壳: SOT363 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 155mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 8nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: 2个P沟道(双) 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SOT363
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.14W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 1.6A 极性: P-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: - 封装/外壳: SOT363 反向传输电容Crss: 33pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 155mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 8nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: 2个P沟道(双) 引脚数: 6Pin
XP202A0003PR
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 38nC 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.60mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 封装/外壳: SOT89-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 38nC 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.60mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
NCE3400A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 1.1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.3A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 输入电容Ciss: 335pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 6.7nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 1.1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.3A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 输入电容Ciss: 335pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 6.7nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
VBK1270
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,20V,4A,45mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.56W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,20V,4A,45mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.56W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
VBA1311
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,30V,12A,12mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 9A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流Idss: 1µA 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 11mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 23nC 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N沟道,30V,12A,12mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 9A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流Idss: 1µA 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 11mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 23nC 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AO3422
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3.1A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 6.1nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): 3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3.1A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 栅极电荷(Qg)(Max): 6.1nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
VB3222
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N+N沟道,20V,4.8A,22mΩ@4.5V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.14W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): - 连续漏极电流Id@25℃: 3.5A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.8nC 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 22mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: N+N沟道,20V,4.8A,22mΩ@4.5V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.14W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 阈值电压Vgs(th): - 连续漏极电流Id@25℃: 3.5A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.8nC 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 22mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: 2个N沟道(双)