TWGMC
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ESD05V52D-C
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(VBR)：5.6V 钳位电压(Vc)@Ipp：15V 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：5.6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8/20μs：5A 最大钳位电压：15V
安装类型: SMT 封装/外壳: SOD523 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 9.4A 击穿电压 V(BR)-min: 5.6V 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 双向 零件状态: Active 应用: General Purpose
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(VBR)：5.6V 钳位电压(Vc)@Ipp：15V 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：5.6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8/20μs：5A 最大钳位电压：15V
安装类型: SMT 封装/外壳: SOD523 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 9.4A 击穿电压 V(BR)-min: 5.6V 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 双向 零件状态: Active 应用: General Purpose
S8550SOT23
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 600mV 跃迁频率: 150MHz 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China Taiwan DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 零件状态: Active 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 600mV 跃迁频率: 150MHz 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China Taiwan DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 零件状态: Active 晶体管类型: PNP
AO3401
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: TWGMC 功率耗散: 350mW 额定功率: 350mW 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.2A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 77pF 输入电容Ciss: 954pF 工作温度: +150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: TWGMC 功率耗散: 350mW 额定功率: 350mW 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.2A 极性: P-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 77pF 输入电容Ciss: 954pF 工作温度: +150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
DSK36
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 反向电压Vr：60V 正向电压Vf：700mV 3A 反向漏电流Ir：500μA 60V
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 总电容C: 160pF 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 封装/外壳: SOD123FL 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -55°C~125°C 正向压降VF Max: 700mV 零件状态: Active 应用: 消费级
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 反向电压Vr：60V 正向电压Vf：700mV 3A 反向漏电流Ir：500μA 60V
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 总电容C: 160pF 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 封装/外壳: SOD123FL 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -55°C~125°C 正向压降VF Max: 700mV 零件状态: Active 应用: 消费级
ESD24V32D-C
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：24V@Max 击穿电压：26.7V 最大钳位电压：52V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 钳位电压 VC: 56V 功率-峰值脉冲: 150W 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.25mm 封装/外壳: SOD323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 极性（单双向）: 双向 击穿电压 V(BR)-min: 26.7V 高度: 0.90mm 零件状态: Active 应用: General Purpose
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：24V@Max 击穿电压：26.7V 最大钳位电压：52V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 钳位电压 VC: 56V 功率-峰值脉冲: 150W 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.25mm 封装/外壳: SOD323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 极性（单双向）: 双向 击穿电压 V(BR)-min: 26.7V 高度: 0.90mm 零件状态: Active 应用: General Purpose
ESD3Z5V0
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管
描述: 封装/外壳：SOD323 反向击穿电压Vbr：5.6V 钳位电压Vc：18.6V 反向工作电压Vrwm：5V 峰值脉冲电流Ipp：9.4A
工作电压VR-VI(max): 36V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 电源电压: 36V 功率-峰值脉冲: 300W 封装/外壳: SOD323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 9.4A 击穿电压 V(BR)-min: 5.6V 零件状态: Active 应用: General Purpose
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管
描述: 封装/外壳：SOD323 反向击穿电压Vbr：5.6V 钳位电压Vc：18.6V 反向工作电压Vrwm：5V 峰值脉冲电流Ipp：9.4A
工作电压VR-VI(max): 36V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 电源电压: 36V 功率-峰值脉冲: 300W 封装/外壳: SOD323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 9.4A 击穿电压 V(BR)-min: 5.6V 零件状态: Active 应用: General Purpose
ESD56241D22
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管
描述: 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：22V 击穿电压：23.5V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 断态电压: 24V 功率-峰值脉冲: 150W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.35mm 封装/外壳: SOD323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 击穿电压 V(BR)-min: 26.7V 通道数: 2 结电容: 1.5pF@1MHz 高度: 1.00mm 零件状态: Active 应用: General Purpose
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管
描述: 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：22V 击穿电压：23.5V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 断态电压: 24V 功率-峰值脉冲: 150W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.35mm 封装/外壳: SOD323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 击穿电压 V(BR)-min: 26.7V 通道数: 2 结电容: 1.5pF@1MHz 高度: 1.00mm 零件状态: Active 应用: General Purpose
SMF60CA
供应商: Anychip Mall
分类: 双向TVS二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 反向击穿电压Vbr：66.7V 钳位电压Vc：96.8V 反向工作电压Vrwm：60V 峰值脉冲电流Ipp：1.8A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 电源电压: 60V 断态电压: 60V 功率-峰值脉冲: 200W 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.8A 击穿电压 V(BR)-min: 66.7V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.10mm 应用: General Purpose 类型: 齐纳
供应商: Anychip Mall
分类: 双向TVS二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 反向击穿电压Vbr：66.7V 钳位电压Vc：96.8V 反向工作电压Vrwm：60V 峰值脉冲电流Ipp：1.8A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 电源电压: 60V 断态电压: 60V 功率-峰值脉冲: 200W 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.8A 击穿电压 V(BR)-min: 66.7V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.10mm 应用: General Purpose 类型: 齐纳
SS110SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 Single VR=100V IF=1A SMA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 总电容C: 90pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 封装/外壳: SMA 反向漏电流IR: 200µA 工作温度: -50℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 二极管类型: Single 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 30A 平均整流电流: 1A 最小包装: 2000pcs 工作温度-结: -55°C~150°C 零件状态: Active 高度: 2.20mm 应用: 消费级
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 Single VR=100V IF=1A SMA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 总电容C: 90pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 封装/外壳: SMA 反向漏电流IR: 200µA 工作温度: -50℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 二极管类型: Single 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 30A 平均整流电流: 1A 最小包装: 2000pcs 工作温度-结: -55°C~150°C 零件状态: Active 高度: 2.20mm 应用: 消费级
DSK24
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 正向浪涌电流Ifsm：40A 反向峰值电压Vrrm：40V 反向电压Vr：40V 正向电流If：2A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD123FL 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 结电容Cj: 220pF 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 平均整流电流IF: 2A 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 40A 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 550mV 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基(SBD)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123FL 正向浪涌电流Ifsm：40A 反向峰值电压Vrrm：40V 反向电压Vr：40V 正向电流If：2A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD123FL 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 结电容Cj: 220pF 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 平均整流电流IF: 2A 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 40A 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 550mV 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin