FUJI ELECTRIC
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6MBI100U4B-120-50
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 3 相桥接, 100 A, Vce=1200 V, 35引脚 M633封装
配置: 3 相桥接 晶体管配置: 3 相 最大连续集电极电流: 100 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: PCB（印刷电路板）安装 封装类型: M633 引脚数目: 35 最大功率耗散: 520 W 尺寸: 122 x 62 x 17mm 高度: 17mm 长度: 122mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 3 相桥接, 100 A, Vce=1200 V, 35引脚 M633封装
配置: 3 相桥接 晶体管配置: 3 相 最大连续集电极电流: 100 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: PCB（印刷电路板）安装 封装类型: M633 引脚数目: 35 最大功率耗散: 520 W 尺寸: 122 x 62 x 17mm 高度: 17mm 长度: 122mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
2MBI150VA-120-50
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 150 A, Vce=1200 V, 7引脚 M263封装
晶体管配置: 串行 配置: 串行 最大连续集电极电流: 150 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M263 引脚数目: 7 最大功率耗散: 785 W 尺寸: 94 x 34 x 30mm 高度: 30mm 长度: 94mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 34mm
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 150 A, Vce=1200 V, 7引脚 M263封装
晶体管配置: 串行 配置: 串行 最大连续集电极电流: 150 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M263 引脚数目: 7 最大功率耗散: 785 W 尺寸: 94 x 34 x 30mm 高度: 30mm 长度: 94mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 34mm
FGW15N120VD
供应商: RS
分类: IGBT绝缘栅双极型晶体管
描述: Fuji Electric 晶体管 - IGBT, Vce=1200 V, 15 A, TO-247封装, 3引脚, 通孔安装
最大连续集电极电流: 15 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 155 W 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 尺寸: 15.9 x 5.03 x 20.95mm 最高工作温度: +175 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: IGBT绝缘栅双极型晶体管
描述: Fuji Electric 晶体管 - IGBT, Vce=1200 V, 15 A, TO-247封装, 3引脚, 通孔安装
最大连续集电极电流: 15 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 155 W 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 尺寸: 15.9 x 5.03 x 20.95mm 最高工作温度: +175 °C 最低工作温度: -40 °C
FMW79N60S1HF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Fuji Electric MOSFET, Super J-MOS 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 68 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 68 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 40 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 545 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 15.9mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 203 nC @ 10 V 宽度: 5.03mm 高度: 20.95mm 系列: Super J-MOS
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Fuji Electric MOSFET, Super J-MOS 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 68 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 68 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 40 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 545 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 15.9mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 203 nC @ 10 V 宽度: 5.03mm 高度: 20.95mm 系列: Super J-MOS
2MBI200VA-060-50
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 200 A, Vce=600 V, 7引脚 M263封装
晶体管配置: 串行 配置: 串行 最大连续集电极电流: 200 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M263 引脚数目: 7 最大功率耗散: 650 W 尺寸: 94 x 34 x 30mm 高度: 30mm 长度: 94mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 34mm
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 200 A, Vce=600 V, 7引脚 M263封装
晶体管配置: 串行 配置: 串行 最大连续集电极电流: 200 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M263 引脚数目: 7 最大功率耗散: 650 W 尺寸: 94 x 34 x 30mm 高度: 30mm 长度: 94mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 34mm
FGW30N120HD
供应商: RS
分类: 晶体管 - IGBT
描述: Fuji Electric 晶体管 - IGBT, 30 A, Vce=1200 V, ±20V, 3引脚, TO-247封装
最大连续集电极电流: 30 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 260 W 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 长度: 15.9mm 宽度: 5.03mm 高度: 20.95mm 尺寸: 15.9 x 5.03 x 20.95mm 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +175 °C
供应商: RS
分类: 晶体管 - IGBT
描述: Fuji Electric 晶体管 - IGBT, 30 A, Vce=1200 V, ±20V, 3引脚, TO-247封装
最大连续集电极电流: 30 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 260 W 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 长度: 15.9mm 宽度: 5.03mm 高度: 20.95mm 尺寸: 15.9 x 5.03 x 20.95mm 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +175 °C
2MBI300U4H-120-50
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 300 A, Vce=1200 V, 7引脚 M249封装
配置: 串行 晶体管配置: 串行 最大连续集电极电流: 300 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M249 引脚数目: 7 最大功率耗散: 1.47 kW 尺寸: 108 x 62 x 30mm 高度: 30mm 长度: 108mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 串行, 300 A, Vce=1200 V, 7引脚 M249封装
配置: 串行 晶体管配置: 串行 最大连续集电极电流: 300 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 面板安装 封装类型: M249 引脚数目: 7 最大功率耗散: 1.47 kW 尺寸: 108 x 62 x 30mm 高度: 30mm 长度: 108mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
FMW47N60S1HF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Fuji Electric MOSFET, Super J-MOS 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 47 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 47 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 70 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最大功率耗散: 390 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 宽度: 5.03mm 长度: 15.9mm 典型栅极电荷@Vgs: 125 nC @ 10 V 高度: 20.95mm 系列: Super J-MOS 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Fuji Electric MOSFET, Super J-MOS 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 47 A, 3引脚 TO-247封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 47 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-247 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 70 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最大功率耗散: 390 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 宽度: 5.03mm 长度: 15.9mm 典型栅极电荷@Vgs: 125 nC @ 10 V 高度: 20.95mm 系列: Super J-MOS 最高工作温度: +150 °C
7MBR35VB-120-50
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
晶体管配置: 3 相 配置: 3 相桥接 最大连续集电极电流: 35 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 通孔 封装类型: M712 引脚数目: 24 最大功率耗散: 210 W 尺寸: 122 x 62 x 17mm 高度: 17mm 长度: 122mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
供应商: RS
分类: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
描述: Fuji Electric IGBT 模块 N通道, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
晶体管配置: 3 相 配置: 3 相桥接 最大连续集电极电流: 35 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 通道类型: N 安装类型: 通孔 封装类型: M712 引脚数目: 24 最大功率耗散: 210 W 尺寸: 122 x 62 x 17mm 高度: 17mm 长度: 122mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 62mm
SW-03AC200V0.2KWAC100V1B
供应商: RS
分类: 电动机启动器
描述: Fuji Electric SW 系列 高级电动机起动器, 控制电压200 V 交流, 额定功率0.2 kW, 电机起动器, 1.8 A
额定功率: 0.2 kW 安装类型: DIN 导轨 系列: SW
供应商: RS
分类: 电动机启动器
描述: Fuji Electric SW 系列 高级电动机起动器, 控制电压200 V 交流, 额定功率0.2 kW, 电机起动器, 1.8 A
额定功率: 0.2 kW 安装类型: DIN 导轨 系列: SW