MAPLESEMI
商品列表
SLD60R650S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：16nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：427pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：1.9pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：16nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：427pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：1.9pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
SLF65R300S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：35.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：260mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：802pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.2pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：35.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：260mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：802pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.2pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
SLF10N65C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：678mΩ@10V,5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：678mΩ@10V,5A
SLF10N65S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：800mΩ@10V,5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：800mΩ@10V,5A
MSD06065V1
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：650V 平均整流电流(Io)：19A 正向压降(Vf)：1.5V@6A 反向电流(Ir)：10μA@650V
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：650V 平均整流电流(Io)：19A 正向压降(Vf)：1.5V@6A 反向电流(Ir)：10μA@650V
SLD60R380S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：89W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：22nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：634pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.6pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：89W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：22nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：634pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.6pF@100V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
SLF65R950S2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：27W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：780mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.18nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：350pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：3.5pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：27W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：780mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.18nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：350pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：3.5pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
SLW9N90C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：900V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：280W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.05Ω@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：70nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.78nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：28pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：900V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：280W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.05Ω@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：70nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.78nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：28pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)