NCE
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NCE6045G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: NCE6045G
安装类型: SMT 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 45A 漏源击穿电压BVDSS: 60V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 270pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 58nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 17mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 58nC 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: NCE6045G
安装类型: SMT 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 45A 漏源击穿电压BVDSS: 60V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 270pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 58nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 17mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 58nC 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
NCE3025Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 25A 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.10mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 198pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 15nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.53nF 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: 在售 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 25A 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.10mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 198pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 15nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.53nF 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: 在售 引脚数: 8Pin
NCE3420
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,20V,6A,20mΩ@4.5V；功能同SI2300/SI2302，内阻更低,电流更大。
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 51.5pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,20V,6A,20mΩ@4.5V；功能同SI2300/SI2302，内阻更低,电流更大。
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 51.5pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 33mΩ 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE60H15A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:150A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.1mΩ@10V,75A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 功率耗散: 220W 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 4V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流Id@25℃: 150A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO220-3 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 488pF 输入电容Ciss: 5.451nF 工作温度: -55℃~+175℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 130.8nC 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 130.8nC 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 19.15mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:150A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.1mΩ@10V,75A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
安装类型: SMT 功率耗散: 220W 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 4V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流Id@25℃: 150A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO220-3 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 488pF 输入电容Ciss: 5.451nF 工作温度: -55℃~+175℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 130.8nC 配置: 单路 栅极电荷(Qg)(Max): 130.8nC 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 19.15mm 晶体管类型: N沟道
NCE40H12
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: DIP 品牌: NCE 功率耗散: 130W 阈值电压: 2.5V 额定功率: 130W 包装: Tube packing 连续漏极电流: 120A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO220-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 输入电容Ciss: 5.4nF 工作温度: -55℃~+175℃ 原产国家: China 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 75nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET
安装类型: DIP 品牌: NCE 功率耗散: 130W 阈值电压: 2.5V 额定功率: 130W 包装: Tube packing 连续漏极电流: 120A 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO220-3 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 输入电容Ciss: 5.4nF 工作温度: -55℃~+175℃ 原产国家: China 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 75nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
NCE9435
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:5.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.1A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 2.5W 阈值电压Vgs(th): 2.1V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 5.1A 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 135pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 11nC 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 11nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: 在售 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:5.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.1A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 2.5W 阈值电压Vgs(th): 2.1V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 5.1A 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 135pF 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 11nC 配置: 单路 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 11nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: 在售 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
NCEP3090GU
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 90A 包装: Tape/reel 长x宽/尺寸: 5.15 x 6.10mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.5mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 34.8nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:30V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA
安装类型: SMT 品牌: NCE 阈值电压Vgs(th): 1.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 90A 包装: Tape/reel 长x宽/尺寸: 5.15 x 6.10mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1uA 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.5mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 34.8nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
NCE2060K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N 沟道，20V，60A，<6mΩ@Vgs=4.5V
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 27nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N 沟道，20V，60A，<6mΩ@Vgs=4.5V
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 27nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2pin
NCE30H15K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,150A,4mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 130W 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 150A 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO252 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 563pF 工作温度: -55℃~+175℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 38nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5mΩ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 38nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,150A,4mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: NCE 功率耗散: 130W 阈值电压Vgs(th): 2.5V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 150A 包装: Tape/reel 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO252 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 563pF 工作温度: -55℃~+175℃ 漏极电流Idss: 1uA 充电电量: 38nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5mΩ 原产国家: China 栅极电荷(Qg)(Max): 38nC 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
NCE82H140
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
安装类型: SMT 功率耗散: 220W 阈值电压: 3V 额定功率: 220W 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 140A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO220-3L 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 原产国家: China 输入电容: 7.9nF 漏源电压(Vdss): 82V 栅极电荷(Qg): 158nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
安装类型: SMT 功率耗散: 220W 阈值电压: 3V 额定功率: 220W 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 140A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm 封装/外壳: TO220-3L 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 原产国家: China 输入电容: 7.9nF 漏源电压(Vdss): 82V 栅极电荷(Qg): 158nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin