HTCSEMI
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HT100NF80ASZ
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):173W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,37.5A 80V/100A N沟道平面工艺MOSFET,具有高雪崩能量
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):173W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,37.5A 80V/100A N沟道平面工艺MOSFET,具有高雪崩能量