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K2N7002T-7-F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:115mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
SDV1005S180C030YPTF
供应商: Anychip Mall
分类: 压敏电阻-SMD
描述: 封装/外壳:0402
KESD9B5.0S
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD静电保护管
BV05C
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 封装/外壳:SOD-323 反向工作电压Vrwm:5V 反向击穿电压Vbr:6V 钳位电压Vc:20V 峰值脉冲电流Ipp:18A
K1812L200DR
供应商: Anychip Mall
分类: 自恢复保险丝
描述: 最大电压:8V 最大电流:100A 保持电流:2A 跳闸电流:4A PPTC自恢复保险丝
KAVLC5S021001
供应商: Anychip Mall
分类: 压敏电阻
描述: 压敏电阻
KBAT42WS-7-F
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:30V 电流:100mA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V@200mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):100mA
KSD05T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性:单向 线路数:1 接触放电(VESD):8kV 反向截止电压(Vrwm):5V 击穿电压(VBR):6V 钳位电压(Vc)@Ipp:18V 反向截止电压(Vrwm):5V 击穿电压(最小值):6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8/20μs:17A 最大钳位电压:18V
SMAJ8.0A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm):8V 击穿电压:8.89V 最大钳位电压:13.6V
SMBJ6.8A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: SMBJ6.8A 反向截止电压(Vrwm):6.8V 最大钳位电压:11.2V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:53.6A 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000us:600W 击穿电压:7.22V