MAGNATEC
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BZX85C18V
供应商: RS
分类: 齐纳二极管
描述: Magnatec BZX85C18V 单路 齐纳二极管, 18V 5% 1.3 W, 2引脚 DO-41封装
额定齐纳电压: 18V 二极管配置: 单路 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 1.3 W 封装类型: DO-41 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 15mA 最大齐纳阻抗: 500Ω 最大反向漏电流: 500nA 长度: 4.1mm 直径: 2.5mm 尺寸: 2.5 (Dia.) x 4.1mm 典型电压温度系数: 0.06 %/°C, 0.09 %/°C 最高工作温度: +175 °C
供应商: RS
分类: 齐纳二极管
描述: Magnatec BZX85C18V 单路 齐纳二极管, 18V 5% 1.3 W, 2引脚 DO-41封装
额定齐纳电压: 18V 二极管配置: 单路 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 1.3 W 封装类型: DO-41 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 15mA 最大齐纳阻抗: 500Ω 最大反向漏电流: 500nA 长度: 4.1mm 直径: 2.5mm 尺寸: 2.5 (Dia.) x 4.1mm 典型电压温度系数: 0.06 %/°C, 0.09 %/°C 最高工作温度: +175 °C
2N4401
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Magnatec 2N4401 , NPN 双极晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:100, 250 MHz, 3引脚 TO-92封装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 600 mA 最大集电极-发射极电压: 40 V 封装类型: TO-92 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 350 mW 最小直流电流增益: 100 最大工作频率: 250 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Magnatec 2N4401 , NPN 双极晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:100, 250 MHz, 3引脚 TO-92封装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 600 mA 最大集电极-发射极电压: 40 V 封装类型: TO-92 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 350 mW 最小直流电流增益: 100 最大工作频率: 250 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1
IRF140
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Magnatec NMOS, MOSFET, Vds=100 V, TO-3封装, 28 A, 通孔安装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 28 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-3 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 89 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最大功率耗散: 125 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Magnatec NMOS, MOSFET, Vds=100 V, TO-3封装, 28 A, 通孔安装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 28 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-3 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 89 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最大功率耗散: 125 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1
BC184L-ME
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Magnatec BC184L-ME , NPN 双极晶体管, 500 mA, Vce=30 V, HFE:100, 3引脚 TO-92封装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 500 mA 最大集电极-发射极电压: 30 V 封装类型: TO-92 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 350 mW 最小直流电流增益: 100 最大集电极-基极电压: 45 V 最大发射极-基极电压: 5 V 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最大集电极-发射极饱和电压: 0.6 V 高度: 4.58mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 4.58mm 尺寸: 4.58 x 3.86 x 4.58mm 宽度: 3.86mm 最大基极-发射极饱和电压: 1.2 V
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: Magnatec BC184L-ME , NPN 双极晶体管, 500 mA, Vce=30 V, HFE:100, 3引脚 TO-92封装
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 500 mA 最大集电极-发射极电压: 30 V 封装类型: TO-92 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 350 mW 最小直流电流增益: 100 最大集电极-基极电压: 45 V 最大发射极-基极电压: 5 V 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最大集电极-发射极饱和电压: 0.6 V 高度: 4.58mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 4.58mm 尺寸: 4.58 x 3.86 x 4.58mm 宽度: 3.86mm 最大基极-发射极饱和电压: 1.2 V
IRF250
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Magnatec Si N沟道 MOSFET IRF250, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 30 A 最大漏源电压: 200 V 最大漏源电阻值: 90 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-3 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 150 W 高度: 7.87mm 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 39.95 x 26.67 x 7.87mm 长度: 39.95mm 宽度: 26.67mm 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 35 ns 最低工作温度: -55 °C 典型关断延迟时间: 170 ns 典型输入电容值@Vds: 3500 pF @ 25 V 典型栅极电荷@Vgs: 55 → 115 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: Magnatec Si N沟道 MOSFET IRF250, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 30 A 最大漏源电压: 200 V 最大漏源电阻值: 90 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-3 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 150 W 高度: 7.87mm 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 39.95 x 26.67 x 7.87mm 长度: 39.95mm 宽度: 26.67mm 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 35 ns 最低工作温度: -55 °C 典型关断延迟时间: 170 ns 典型输入电容值@Vds: 3500 pF @ 25 V 典型栅极电荷@Vgs: 55 → 115 nC @ 10 V
BZX85C3V0
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: Magnatec 1路路 单路 稳压二极管, 3V 5% 1.3 W, 2引脚 DO-41封装
额定齐纳电压: 3V 二极管配置: 单路 安装类型: 通孔 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 1.3 W 封装类型: DO-41 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 80mA 最大齐纳阻抗: 400Ω 最大反向漏电流: 100µA 长度: 4.1mm 尺寸: 2.5 (Dia.) x 4.1mm 直径: 2.5mm 典型电压温度系数: -0.08 %/°C, -0.05 %/°C 最高工作温度: +175 °C
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: Magnatec 1路路 单路 稳压二极管, 3V 5% 1.3 W, 2引脚 DO-41封装
额定齐纳电压: 3V 二极管配置: 单路 安装类型: 通孔 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 1.3 W 封装类型: DO-41 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 80mA 最大齐纳阻抗: 400Ω 最大反向漏电流: 100µA 长度: 4.1mm 尺寸: 2.5 (Dia.) x 4.1mm 直径: 2.5mm 典型电压温度系数: -0.08 %/°C, -0.05 %/°C 最高工作温度: +175 °C
2SA1370E
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: Magnatec 晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 100 mA, TO-92 Mod封装, 150 MHz, 3引脚
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 200 V 封装类型: TO-92 Mod 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 1 W 最小直流电流增益: 40 晶体管配置: 单 最大工作频率: 150 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: Magnatec 晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 100 mA, TO-92 Mod封装, 150 MHz, 3引脚
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 200 V 封装类型: TO-92 Mod 安装类型: 通孔 最大功率耗散: 1 W 最小直流电流增益: 40 晶体管配置: 单 最大工作频率: 150 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1
BZX85C5V1
供应商: RS
分类: 齐纳二极管
描述: Magnatec BZX85C5V1 单路 齐纳二极管, 5.1V 5% 1.3 W, 2引脚 DO-41封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 5.1V 安装类型: 通孔 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 1.3 W 封装类型: DO-41 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 45mA 最大齐纳阻抗: 500Ω 最大反向漏电流: 1µA 长度: 4.1mm 直径: 2.5mm 尺寸: 2.5 (Dia.) x 4.1mm 典型电压温度系数: -0.01 %/°C, 0.04 %/°C 最高工作温度: +175 °C
供应商: RS
分类: 齐纳二极管
描述: Magnatec BZX85C5V1 单路 齐纳二极管, 5.1V 5% 1.3 W, 2引脚 DO-41封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 5.1V 安装类型: 通孔 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 1.3 W 封装类型: DO-41 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 45mA 最大齐纳阻抗: 500Ω 最大反向漏电流: 1µA 长度: 4.1mm 直径: 2.5mm 尺寸: 2.5 (Dia.) x 4.1mm 典型电压温度系数: -0.01 %/°C, 0.04 %/°C 最高工作温度: +175 °C
BZX85C30V
供应商: RS
分类: 齐纳二极管
描述: Magnatec BZX85C30V 单路 齐纳二极管, 30V 5% 1.3 W, 2引脚 DO-41封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 30V 安装类型: 通孔 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 1.3 W 封装类型: DO-41 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 8mA 最大齐纳阻抗: 1000Ω 最大反向漏电流: 500nA 长度: 4.1mm 直径: 2.5mm 尺寸: 2.5 (Dia.) x 4.1mm 最高工作温度: +175 °C 典型电压温度系数: 0.06 %/°C, 0.095 %/°C
供应商: RS
分类: 齐纳二极管
描述: Magnatec BZX85C30V 单路 齐纳二极管, 30V 5% 1.3 W, 2引脚 DO-41封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 30V 安装类型: 通孔 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 1.3 W 封装类型: DO-41 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 8mA 最大齐纳阻抗: 1000Ω 最大反向漏电流: 500nA 长度: 4.1mm 直径: 2.5mm 尺寸: 2.5 (Dia.) x 4.1mm 最高工作温度: +175 °C 典型电压温度系数: 0.06 %/°C, 0.095 %/°C
2N6845
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Magnatec MOSFET, P沟道, Si, Vds=100 V, 4 A, 3引脚 TO-39封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 4 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-39 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 690 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最大功率耗散: 20 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 宽度: 9.4mm 典型栅极电荷@Vgs: 16.3 nC @ 10 V 长度: 9.4mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 4.57mm 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Magnatec MOSFET, P沟道, Si, Vds=100 V, 4 A, 3引脚 TO-39封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 4 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-39 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 690 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最大功率耗散: 20 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 宽度: 9.4mm 典型栅极电荷@Vgs: 16.3 nC @ 10 V 长度: 9.4mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 4.57mm 晶体管材料: Si