MAGNACHIP
We are a Korea-based designer and manufacturer of analog and mixed-signal semiconductor products for consumer, computing, communication, industrial, automotive and Internet of Things ("IoT") applications. We provide technology platforms for analog, mixed-signal, power, high voltage, non-volatile memory, and RF applications. We have a proven record of 30-year operating history, large portfolio of approximately 2,917 registered novel patents and 141 pending novel patent applications and extensive engineering and manufacturing process expertise.
商品列表
MPMC200B120RH
供应商: RS Components
分类: IGBT
描述: MagnaChip IGBT 模块 N通道, 串行, 200 A, Vce=1200 V, 7引脚 7DM-2封装
最大连续集电极电流: 200 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 960 W 配置: 串行 封装类型: 7DM-2 安装类型: 面板安装 通道类型: N 引脚数目: 7 开关速度: 70kHz 晶体管配置: 串行 尺寸: 94 x 48 x 22mm
供应商: RS Components
分类: IGBT
描述: MagnaChip IGBT 模块 N通道, 串行, 200 A, Vce=1200 V, 7引脚 7DM-2封装
最大连续集电极电流: 200 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 960 W 配置: 串行 封装类型: 7DM-2 安装类型: 面板安装 通道类型: N 引脚数目: 7 开关速度: 70kHz 晶体管配置: 串行 尺寸: 94 x 48 x 22mm
MPJC2CA200U40
供应商: RS Components
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: MagnaChip二极管, 面板安装安装, 3DM-2NI封装, 2引脚
安装类型: 面板安装 封装类型: 3DM-2NI 最大连续正向电流: 400A 峰值反向重复电压: 400V 二极管配置: 共阴极 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 2 最大正向电压降: 1.3V 每片芯片元件数目: 2 峰值反向回复时间: 100ns
供应商: RS Components
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: MagnaChip二极管, 面板安装安装, 3DM-2NI封装, 2引脚
安装类型: 面板安装 封装类型: 3DM-2NI 最大连续正向电流: 400A 峰值反向重复电压: 400V 二极管配置: 共阴极 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 2 最大正向电压降: 1.3V 每片芯片元件数目: 2 峰值反向回复时间: 100ns
MDD14N25CRH
供应商: RS Components
分类: MOSFET
描述: MagnaChip, 场效应管Mosfet, NMOS, DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 10.2 A 最大漏源电压: 250 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 280 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最大功率耗散: 69.4 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.22mm 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 6.73mm 典型栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 10 V
供应商: RS Components
分类: MOSFET
描述: MagnaChip, 场效应管Mosfet, NMOS, DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 10.2 A 最大漏源电压: 250 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 280 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最大功率耗散: 69.4 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.22mm 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 6.73mm 典型栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 10 V
MPKC2SB200U60
供应商: RS Components
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: MagnaChip二极管, 面板安装安装, 5DM-2封装, 3引脚
安装类型: 面板安装 封装类型: 5DM-2 最大连续正向电流: 400A 峰值反向重复电压: 600V 二极管配置: 共阳极 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.8V 每片芯片元件数目: 2 峰值反向回复时间: 110ns
供应商: RS Components
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: MagnaChip二极管, 面板安装安装, 5DM-2封装, 3引脚
安装类型: 面板安装 封装类型: 5DM-2 最大连续正向电流: 400A 峰值反向重复电压: 600V 二极管配置: 共阳极 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.8V 每片芯片元件数目: 2 峰值反向回复时间: 110ns
MPMC100B120RH
供应商: RS Components
分类: IGBT
描述: MagnaChip IGBT 模块 N通道, 串行, 100 A, Vce=1200 V, 7引脚 7DM-2封装
最大连续集电极电流: 100 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 694 W 封装类型: 7DM-2 配置: 串行 安装类型: 面板安装 通道类型: N 引脚数目: 7 开关速度: 70kHz 晶体管配置: 串行 尺寸: 94 x 48 x 22mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS Components
分类: IGBT
描述: MagnaChip IGBT 模块 N通道, 串行, 100 A, Vce=1200 V, 7引脚 7DM-2封装
最大连续集电极电流: 100 A 最大集电极-发射极电压: 1200 V 最大栅极发射极电压: ±20V 最大功率耗散: 694 W 封装类型: 7DM-2 配置: 串行 安装类型: 面板安装 通道类型: N 引脚数目: 7 开关速度: 70kHz 晶体管配置: 串行 尺寸: 94 x 48 x 22mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C
MDS1527URH
供应商: RS Components
分类: MOSFET
描述: MagnaChip NMOS, MOSFET, Vds=30 V, SOIC封装, 13.1 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 13.1 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 23.7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 4.8 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS Components
分类: MOSFET
描述: MagnaChip NMOS, MOSFET, Vds=30 V, SOIC封装, 13.1 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 13.1 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 23.7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 4.8 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1
MDD1903RH
供应商: RS Components
分类: MOSFET
描述: MagnaChip NMOS, MOSFET, Vds=100 V, DPAK (TO-252)封装, 12.8 A, 表面贴装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12.8 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 110 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 36.8 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 2.39mm 宽度: 6.22mm 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si 长度: 6.73mm 典型栅极电荷@Vgs: 8.8 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS Components
分类: MOSFET
描述: MagnaChip NMOS, MOSFET, Vds=100 V, DPAK (TO-252)封装, 12.8 A, 表面贴装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12.8 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 110 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 36.8 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 高度: 2.39mm 宽度: 6.22mm 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si 长度: 6.73mm 典型栅极电荷@Vgs: 8.8 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C
MDF7N65BTH
供应商: RS Components
分类: MOSFET
描述: MagnaChip, MOSFET, NMOS, TO-220F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220F 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.35 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最大功率耗散: 42 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 典型栅极电荷@Vgs: 18.4 nC @ 10 V 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.71mm 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.93mm
供应商: RS Components
分类: MOSFET
描述: MagnaChip, MOSFET, NMOS, TO-220F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220F 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.35 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最大功率耗散: 42 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 典型栅极电荷@Vgs: 18.4 nC @ 10 V 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.71mm 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.93mm
MDS3603URH
供应商: RS Components
分类: MOSFET
描述: MagnaChip PMOS, MOSFET, Vds=30 V, SOIC封装, 12 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
通道类型: P 最大连续漏极电流: 12 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 14.5 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 2.5 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -25 V、+25 V 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS Components
分类: MOSFET
描述: MagnaChip PMOS, MOSFET, Vds=30 V, SOIC封装, 12 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
通道类型: P 最大连续漏极电流: 12 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 14.5 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 2.5 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -25 V、+25 V 每片芯片元件数目: 1
MPJC2CA100U40
供应商: RS Components
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: MagnaChip二极管, 面板安装安装, 3DM-2NI封装, 2引脚
安装类型: 面板安装 封装类型: 3DM-2NI 最大连续正向电流: 200A 峰值反向重复电压: 400V 二极管配置: 共阴极 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 2 最大正向电压降: 1.3V 每片芯片元件数目: 2 峰值反向回复时间: 60ns
供应商: RS Components
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: MagnaChip二极管, 面板安装安装, 3DM-2NI封装, 2引脚
安装类型: 面板安装 封装类型: 3DM-2NI 最大连续正向电流: 200A 峰值反向重复电压: 400V 二极管配置: 共阴极 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 2 最大正向电压降: 1.3V 每片芯片元件数目: 2 峰值反向回复时间: 60ns