NXP SEMICONDUCTORS
NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) enables secure connections and infrastructure for a smarter world, advancing solutions that make lives easier, better and safer. As the world leader in secure connectivity solutions for embedded applications, NXP is driving innovation in the secure connected vehicle, end-to-end security & privacy and smart connected solutions markets.
商品列表
74VHCT126D,118
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74VHCT 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 缓冲器，非反向 元件数: 4 每元件位数: 1 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 8mA，8mA 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 14-SO
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74VHCT 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 缓冲器，非反向 元件数: 4 每元件位数: 1 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 8mA，8mA 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 14-SO
SOT223-1.jpg)
BSP33,115
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）: 1A 电压-集射极击穿（最大值）: 80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 100mA，5V 功率-最大值: 1.3W 频率-跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）: 1A 电压-集射极击穿（最大值）: 80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 100mA，5V 功率-最大值: 1.3W 频率-跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: SOT-223
74HCT157D,653
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器 制造商: NXP USA Inc. 系列: 74HCT 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 类型: 多路复用器 电路: 4 x 2：1 独立电路: 1 电流-输出高，低: 4mA，4mA 电压源: 单电源 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器 制造商: NXP USA Inc. 系列: 74HCT 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 类型: 多路复用器 电路: 4 x 2：1 独立电路: 1 电流-输出高，低: 4mA，4mA 电压源: 单电源 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO
1PS76SB40,135
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 40V 电流-平均整流（Io）: 120mA（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1V @ 40mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 40V 不同 Vr，F时的电容: 5pF @ 0V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度-结: 150°C（最大）
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 40V 电流-平均整流（Io）: 120mA（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1V @ 40mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 40V 不同 Vr，F时的电容: 5pF @ 0V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度-结: 150°C（最大）
BUK9Y6R0-60E,115
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 100A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 39.4nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 6319pF @ 25V Vgs（最大值）: ±10V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 195W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: LFPAK， 电源-SO8 封装/外壳: SC-100，SOT-669
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 100A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 39.4nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 6319pF @ 25V Vgs（最大值）: ±10V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 195W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: LFPAK， 电源-SO8 封装/外壳: SC-100，SOT-669
BC53PA,115
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）: 1A 电压-集射极击穿（最大值）: 80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 63 @ 150mA，2V 功率-最大值: 420mW 频率-跃迁: 145MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 3-UDFN，裸露焊盘 供应商器件封装: 3-HUSON（2x2）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 晶体管类型: PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）: 1A 电压-集射极击穿（最大值）: 80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 63 @ 150mA，2V 功率-最大值: 420mW 频率-跃迁: 145MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 3-UDFN，裸露焊盘 供应商器件封装: 3-HUSON（2x2）
74AHC2G125DP,125
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
NumberofElements: 2 Category: Integrated Circuits (ICs)LogicBuffers, Drivers, Receivers, Transceivers LogicType: Buffer, Non-Inverting OperatingTemperature: -40°C ~ 125°C (TA) ProductStatus: Active Current-OutputHigh,Low: 8mA, 8mA Voltage-Supply: 2V ~ 5.5V Package/Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount Series: 74AHC SupplierDevicePackage: 8-TSSOP BaseProductNumber: 74AHC2G125 NumberofBitsperElement: 1 InputType: - Mfr: NXP Semiconductors Package: Bulk OutputType: 3-State
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
NumberofElements: 2 Category: Integrated Circuits (ICs)LogicBuffers, Drivers, Receivers, Transceivers LogicType: Buffer, Non-Inverting OperatingTemperature: -40°C ~ 125°C (TA) ProductStatus: Active Current-OutputHigh,Low: 8mA, 8mA Voltage-Supply: 2V ~ 5.5V Package/Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount Series: 74AHC SupplierDevicePackage: 8-TSSOP BaseProductNumber: 74AHC2G125 NumberofBitsperElement: 1 InputType: - Mfr: NXP Semiconductors Package: Bulk OutputType: 3-State
74AHCT541PW-Q100J
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 汽车级，AEC-Q100，74AHCT 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 缓冲器，非反向 元件数: 1 每元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 8mA，8mA 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-TSSOP
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 汽车级，AEC-Q100，74AHCT 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 缓冲器，非反向 元件数: 1 每元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 8mA，8mA 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-TSSOP
74LVC2G240GF,115
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74LVC 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 缓冲器，反向 元件数: 2 每元件位数: 1 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 32mA，32mA 电压-电源: 1.65 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-XFDFN 供应商器件封装: 8-XSON，SOT1089（1.35x1）
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: 74LVC 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 缓冲器，反向 元件数: 2 每元件位数: 1 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 32mA，32mA 电压-电源: 1.65 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-XFDFN 供应商器件封装: 8-XSON，SOT1089（1.35x1）
PSMN020-100YS,115
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 43A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2210pF @ 50V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 106W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20.5 毫欧 @ 15A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: LFPAK， 电源-SO8 封装/外壳: SC-100，SOT-669
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 43A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2210pF @ 50V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 106W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20.5 毫欧 @ 15A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: LFPAK， 电源-SO8 封装/外壳: SC-100，SOT-669