GENESIC SEMICONDUCTOR
GeneSiC 是碳化硅技术的先驱者和世界领导者，同时还投资高功率硅技术。 全球工业和国防系统的各大领先厂商都依赖 GeneSiC 的技术提升产品性能和能效。
商品列表
MBR20045CTR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 mA @ 20 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 100 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 mA @ 20 V
KBPC3510W
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A KBPC-W
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-方形，KBPC-W 供应商器件封装: KBPC-W 电压 - 峰值反向（最大值）: 1 kV 电流 - 平均整流 (Io): 35 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 17.5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V 基本产品编号: KBPC3510
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A KBPC-W
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-方形，KBPC-W 供应商器件封装: KBPC-W 电压 - 峰值反向（最大值）: 1 kV 电流 - 平均整流 (Io): 35 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 17.5 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V 基本产品编号: KBPC3510
MBRH120200
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 120A D-67
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-67 供应商器件封装: D-67 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 120 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 200 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 120A D-67
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-67 供应商器件封装: D-67 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 120 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 200 V
MSRTA500120(A)
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 500A（DC） 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2V @ 500A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 500A（DC） 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2V @ 500A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25µA @ 600V
MBR12035CTR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 35 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 120 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR12035
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管配置: 1 对共阳极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 120A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 35 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 120 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR12035
MSRT150100(A)D
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对串联 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 150A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V 基本产品编号: MSRT150100
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对串联 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 150A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 三塔 供应商器件封装: 三塔 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 150 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V 基本产品编号: MSRT150100
KBU6J
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，KBU 供应商器件封装: KBU 电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 6 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 6 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 50 V 基本产品编号: KBU6
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: Single Phase 技术: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-SIP，KBU 供应商器件封装: KBU 电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 6 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 6 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 50 V 基本产品编号: KBU6
S70G
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 400V 70A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 70A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 70A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -65°C ~ 180°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座，接线柱安装 二极管 400V 70A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 70A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 70A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -65°C ~ 180°C
MBR60040CT
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 300A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 300 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR60040
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 300A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 双塔架 供应商器件封装: 双塔架 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 300 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 20 V 基本产品编号: MBR60040
S85KR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 800V 85A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准型， 反极性 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 800V 电流-平均整流（Io）: 85A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 85A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -65°C ~ 180°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准型， 反极性 底座，接线柱安装 二极管 800V 85A DO-5
类别: 分立半导体产品 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 二极管类型: 标准型， 反极性 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 800V 电流-平均整流（Io）: 85A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 85A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 100V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座，接线柱安装 封装/外壳: DO-203AB，DO-5，接线柱 供应商器件封装: DO-5 工作温度-结: -65°C ~ 180°C