CBI
The CBI-electric Group under the auspices of Reunert Holdings which is a leading South African company listed on the JSE in the industrial goods and services (electronic and electrical equipment) sectors. Reunert manages a number of businesses focused on electronics and electrical engineering and regularly ranks among the country's top companies.
商品列表
78L05U
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: (78L05表示丝印)
安装类型: SMT 输出配置: Positive 电源抑制比(PSRR): 41dB 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 额定功率: 800mW 输出电压（最大值）: 5.2V 极性: Positive 输入电压: 30V 输出端数: 1 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT89 元件生命周期: Active 负荷调节: 60mV 工作温度: -20℃~+120℃ 原产国家: China 静态电流: 5.5mA 输出电压: 5V 输出电压（最小值/固定）: 4.8V 类型: 线性 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: (78L05表示丝印)
安装类型: SMT 输出配置: Positive 电源抑制比(PSRR): 41dB 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 额定功率: 800mW 输出电压（最大值）: 5.2V 极性: Positive 输入电压: 30V 输出端数: 1 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT89 元件生命周期: Active 负荷调节: 60mV 工作温度: -20℃~+120℃ 原产国家: China 静态电流: 5.5mA 输出电压: 5V 输出电压（最小值/固定）: 4.8V 类型: 线性 引脚数: 3Pins
BZT52C5V1W
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: W8(W8表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 热阻: 340℃/W 稳压值Vz: 5.1V 最大耗散功率: 500mW 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.70 x 1.65mm 封装/外壳: SOD123 反向漏电流IR: 2µA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 标准稳压值: 5.1V 二极管类型: 单一 最小包装: 3000pcs 高度: 1.15mm
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: W8(W8表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 热阻: 340℃/W 稳压值Vz: 5.1V 最大耗散功率: 500mW 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.70 x 1.65mm 封装/外壳: SOD123 反向漏电流IR: 2µA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 标准稳压值: 5.1V 二极管类型: 单一 最小包装: 3000pcs 高度: 1.15mm
BAT54WT
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:30V 电流:200mA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):800mV@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA
安装类型: SMT 最大耗散功率: 200mW 品牌: CBI 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 800mV 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 封装/外壳: SOD523 反向漏电流IR: 2µA 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 200mA 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 30V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 600mA 工作温度-结: 125°C（最大） 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 6ns 高度: 0.70mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:30V 电流:200mA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):800mV@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA
安装类型: SMT 最大耗散功率: 200mW 品牌: CBI 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 800mV 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 封装/外壳: SOD523 反向漏电流IR: 2µA 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 200mA 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 30V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 600mA 工作温度-结: 125°C（最大） 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 6ns 高度: 0.70mm 零件状态: Active
SS8050SOT89
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- SOT-89
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 500mW 额定功率: 500mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 Vce饱和压降(Max): 500mV 零件状态: Active 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- SOT-89
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 500mW 额定功率: 500mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 Vce饱和压降(Max): 500mV 零件状态: Active 晶体管类型: NPN
MM5Z6V2
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: J8(J8表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 稳压值Vz: 6.2V 最大耗散功率: 200mW 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 反向漏电流IR: 1μA 封装/外壳: SOD523 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China Hong Kong 标准稳压值: 6.2V 二极管类型: 单一 电流-DC正向（If）: 10mA 最小包装: 3000pcs 高度: 0.65mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: J8(J8表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 稳压值Vz: 6.2V 最大耗散功率: 200mW 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 反向漏电流IR: 1μA 封装/外壳: SOD523 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China Hong Kong 标准稳压值: 6.2V 二极管类型: 单一 电流-DC正向（If）: 10mA 最小包装: 3000pcs 高度: 0.65mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
S8050T
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：0.5A 功率(Pd)：300mW
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 300mW 原始制造商: China Base Electronic Technology Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 包装: Tape/reel 极性: NPN 集电极与基极之间电压 VCBO: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China Hong Kong DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200~350 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 高度: 1.40mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：0.5A 功率(Pd)：300mW
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 300mW 原始制造商: China Base Electronic Technology Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 包装: Tape/reel 极性: NPN 集电极与基极之间电压 VCBO: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China Hong Kong DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200~350 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 高度: 1.40mm 引脚数: 3Pin
SD103AWT
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: S4(S4表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 最大耗散功率: 200mW 品牌: CBI 总电容C: 50pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 600mV 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 封装/外壳: SOD523 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+125℃(TJ) 平均整流电流IF: 350mA 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -65°C~125°C 反向恢复时间(trr): 10ns 高度: 0.70mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: S4(S4表示丝印)
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 最大耗散功率: 200mW 品牌: CBI 总电容C: 50pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 600mV 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 封装/外壳: SOD523 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+125℃(TJ) 平均整流电流IF: 350mA 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -65°C~125°C 反向恢复时间(trr): 10ns 高度: 0.70mm
BZT52C12W
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: NJ(NJ表示丝印)
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 热阻: 340℃/W 最大耗散功率: 500mW 稳压值Vz: 12V 稳定电流: 5mA 品牌: CBI 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD123 工作温度: +150℃ 标准稳压值: 12V 最小稳压值: 11.4V 反向耐压VR: 8V 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active Zzt阻抗Max: 25Ω 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: NJ(NJ表示丝印)
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 热阻: 340℃/W 最大耗散功率: 500mW 稳压值Vz: 12V 稳定电流: 5mA 品牌: CBI 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD123 工作温度: +150℃ 标准稳压值: 12V 最小稳压值: 11.4V 反向耐压VR: 8V 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active Zzt阻抗Max: 25Ω 引脚数: 2Pin
1SS400WT
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 电压:80V 电流:100mA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.2V@100mA 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 反向恢复时间(trr):4ns
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: CBI 总电容C: 3pF 原始制造商: China Base International Enterprises Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD523 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China Hong Kong 平均整流电流IF: 100mA 反向耐压VR: 80V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1.2V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 电压:80V 电流:100mA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.2V@100mA 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 反向恢复时间(trr):4ns
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: CBI 总电容C: 3pF 原始制造商: China Base International Enterprises Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.25 x 0.85mm 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD523 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China Hong Kong 平均整流电流IF: 100mA 反向耐压VR: 80V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1.2V 零件状态: Active
MMBT3904W
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: K2N(K2N表示丝印)
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 跃迁频率: 300MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 集电极电流 Ic: 200mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 Vce饱和压降(Max): 300mV 零件状态: Active 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: K2N(K2N表示丝印)
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 跃迁频率: 300MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 集电极电流 Ic: 200mA 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 Vce饱和压降(Max): 300mV 零件状态: Active 晶体管类型: NPN