MICROSEMI CORPORATION
Microsemi Corporation（纳斯达克股票代码：MSCC) 为航空航天与国防、通信、数据中心以及工业市场提供全面的半导体解决方案产品组合。 公司产品包括：高性能、抗辐射、模拟式混合信号集成电路、FPGA、SoC 和 ASIC，电源管理产品，定时和同步器件以及精密时间解决方案（确立了全球时间标准），语音处理器件，射频解决方案，分立式元器件、企业存储和通信解决方案，安防技术和可扩展防篡改产品，以太网解决方案，以太网供电 IC 和中跨，以及定制设计能力和服务。 Microsemi 总部设于美国加利福尼亚州 Aliso Viejo，全球员工总数约 4,800 人。
商品列表
JAN1N4486
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 75V 1.5W ±5% 通孔 DO-41
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/406 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 75V 容差: ±5% 功率-最大值: 1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）: 130 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 250nA @ 60V 不同If时的电压-正向（Vf: 1V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 75V 1.5W ±5% 通孔 DO-41
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/406 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 75V 容差: ±5% 功率-最大值: 1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）: 130 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 250nA @ 60V 不同If时的电压-正向（Vf: 1V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41
;-;.jpg)
JANTX1N3039BUR-1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 62V 1W ±5% 表面贴装 DO-213AB（MELF，LL41）
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/115 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 62V 容差: ±5% 功率-最大值: 1W 阻抗（最大值）（Zzt）: 125 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 47.1V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 200mA 工作温度: -55°C ~ 175°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃） 供应商器件封装: DO-213AB（MELF，LL41）
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 62V 1W ±5% 表面贴装 DO-213AB（MELF，LL41）
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/115 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 62V 容差: ±5% 功率-最大值: 1W 阻抗（最大值）（Zzt）: 125 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 47.1V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 200mA 工作温度: -55°C ~ 175°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃） 供应商器件封装: DO-213AB（MELF，LL41）
JANTX1N4102DUR-1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 8.7V 500mW ±1% 表面贴装 DO-213AA
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/435 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 8.7V 容差: ±1% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 200 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 500nA @ 6.7V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装: DO-213AA
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 8.7V 500mW ±1% 表面贴装 DO-213AA
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/435 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 8.7V 容差: ±1% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 200 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 500nA @ 6.7V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-213AA（玻璃） 供应商器件封装: DO-213AA
MAPLAD18KP20CAE3
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 20V 32.4V PLAD
类别: 电路保护 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 齐纳 双向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 20V 电压-击穿（最小值）: 22.2V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 32.4V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 556A 功率-峰值脉冲: 18000W（18kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 20V 32.4V PLAD
类别: 电路保护 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 齐纳 双向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 20V 电压-击穿（最小值）: 22.2V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 32.4V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 556A 功率-峰值脉冲: 18000W（18kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD
JANTX1N4099C-1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 6.8V 500mW ±2% 通孔 DO-35（DO-204AH）
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/435 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 6.8V 容差: ±2% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 200 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1µA @ 5.2V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装: DO-35（DO-204AH）
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 6.8V 500mW ±2% 通孔 DO-35（DO-204AH）
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/435 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 6.8V 容差: ±2% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 200 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1µA @ 5.2V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.1V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装: DO-35（DO-204AH）
JAN1N4472D
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 20V 1.5W ±1% 通孔 DO-41
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/406 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 20V 容差: ±1% 功率-最大值: 1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）: 12 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 50nA @ 16V 不同If时的电压-正向（Vf: 1V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 20V 1.5W ±1% 通孔 DO-41
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/406 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 20V 容差: ±1% 功率-最大值: 1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）: 12 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 50nA @ 16V 不同If时的电压-正向（Vf: 1V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41
JAN1N4956D
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 8.2V 5W ±1% 通孔 E，轴向
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/356 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 8.2V 容差: ±1% 功率-最大值: 5W 阻抗（最大值）（Zzt）: 1.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 50µA @ 6.2V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 1A 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: E，轴向 供应商器件封装: E，轴向
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 8.2V 5W ±1% 通孔 E，轴向
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/356 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 8.2V 容差: ±1% 功率-最大值: 5W 阻抗（最大值）（Zzt）: 1.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 50µA @ 6.2V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 1A 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: E，轴向 供应商器件封装: E，轴向
MAPLAD30KP54CAE3
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 54V 87.1V PLAD
类型: 齐纳 双向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 54V 电压-击穿（最小值）: 60V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 87.1V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 342A 功率-峰值脉冲: 30000W（30kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD 通知: QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 54V 87.1V PLAD
类型: 齐纳 双向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 54V 电压-击穿（最小值）: 60V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 87.1V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 342A 功率-峰值脉冲: 30000W（30kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD 通知: QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。
JAN1N3825A-1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: DIODE ZENER 4.7V 1W DO41
电压-齐纳（标称值）（Vz）: 4.7V 容差: ±5% 功率-最大值: 1W 阻抗（最大值）（Zzt）: 8 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 1V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: DIODE ZENER 4.7V 1W DO41
电压-齐纳（标称值）（Vz）: 4.7V 容差: ±5% 功率-最大值: 1W 阻抗（最大值）（Zzt）: 8 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 5µA @ 1V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 200mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41
MXLPLAD6.5KP90CA
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 90V 146V PLAD
制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500 包装: 散装 零件状态: 停產 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 90V 电压 - 击穿（最小值）: 100V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 146V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 44.5A 功率 - 峰值脉冲: 6500W（6.5kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD 通知: QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。 双向通道: 1
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 90V 146V PLAD
制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500 包装: 散装 零件状态: 停產 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 90V 电压 - 击穿（最小值）: 100V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 146V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 44.5A 功率 - 峰值脉冲: 6500W（6.5kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD 通知: QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。 双向通道: 1