意法半导体
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LD1117S33TR
供应商: RS
分类: 调压器
描述: 意法半导体 电压调节器, 3+Tab引脚
最大输出电流: 1.3A 调节器类型: 低跌落电压 输出数目: 1 输出电压: 3.3 V 线路调节: 6 mV 负荷调节: 10 mV 精确度: ±1% 极性: 正极 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-223 静态电流: 5mA 引脚数目: 3+Tab 输出类型: 固定 尺寸: 6.5 x 3.5 x 1.8mm 最低工作温度: 0 °C 高度: 1.8mm 最大输入电压: 15 V 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: 调压器
描述: 意法半导体 电压调节器, 3+Tab引脚
最大输出电流: 1.3A 调节器类型: 低跌落电压 输出数目: 1 输出电压: 3.3 V 线路调节: 6 mV 负荷调节: 10 mV 精确度: ±1% 极性: 正极 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-223 静态电流: 5mA 引脚数目: 3+Tab 输出类型: 固定 尺寸: 6.5 x 3.5 x 1.8mm 最低工作温度: 0 °C 高度: 1.8mm 最大输入电压: 15 V 最高工作温度: +150 °C
LM317T
供应商: RS
分类: 调压器
描述: 意法半导体 电压调节器, 3引脚
调节器类型: 线性电压 最大输出电流: 1.5A 输出电压: 1.2 → 37 V 输出数目: 1 线路调节: 0.04 %/V 负荷调节: 0.5 %，0.5 %Vo，25 mV%/Vo 安装类型: 通孔 极性: 正极 封装类型: TO-220 参考电压: 1.25V 引脚数目: 3 输出类型: 可调整的 尺寸: 10.4 x 4.6 x 9.15mm 最高工作温度: +125 °C 最小输入电压: 3 V 高度: 9.15mm 最低工作温度: 0 °C 最大输入电压: 40 V
供应商: RS
分类: 调压器
描述: 意法半导体 电压调节器, 3引脚
调节器类型: 线性电压 最大输出电流: 1.5A 输出电压: 1.2 → 37 V 输出数目: 1 线路调节: 0.04 %/V 负荷调节: 0.5 %，0.5 %Vo，25 mV%/Vo 安装类型: 通孔 极性: 正极 封装类型: TO-220 参考电压: 1.25V 引脚数目: 3 输出类型: 可调整的 尺寸: 10.4 x 4.6 x 9.15mm 最高工作温度: +125 °C 最小输入电压: 3 V 高度: 9.15mm 最低工作温度: 0 °C 最大输入电压: 40 V
STTH3012W
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: 意法半导体 开关 二极管, 峰值反向重复电压 1200V, 2引脚 DO-247封装, 最高工作温度 +175 °C
安装类型: 通孔 封装类型: DO-247 最大连续正向电流: 30A 峰值反向重复电压: 1200V 二极管配置: 单路 整流器类型: 切换 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 2 最大正向电压降: 2.25V 每片芯片元件数目: 1 二极管技术: 硅结型 峰值反向回复时间: 115ns 峰值非重复正向浪涌电流: 210A
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: 意法半导体 开关 二极管, 峰值反向重复电压 1200V, 2引脚 DO-247封装, 最高工作温度 +175 °C
安装类型: 通孔 封装类型: DO-247 最大连续正向电流: 30A 峰值反向重复电压: 1200V 二极管配置: 单路 整流器类型: 切换 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 2 最大正向电压降: 2.25V 每片芯片元件数目: 1 二极管技术: 硅结型 峰值反向回复时间: 115ns 峰值非重复正向浪涌电流: 210A
STTH506B-TR
供应商: RS
分类: 肖特基二极管和整流器
描述: 意法半导体二极管, 最大连续正向电流5A, 峰值反向重复电压600V, 表面贴装安装, DPAK (TO-252)封装, 3引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: DPAK (TO-252) 最大连续正向电流: 5A 峰值反向重复电压: 600V 二极管配置: 单路 整流器类型: 切换 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.85V 每片芯片元件数目: 1 二极管技术: 硅结型 峰值反向回复时间: 50ns 峰值非重复正向浪涌电流: 55A
供应商: RS
分类: 肖特基二极管和整流器
描述: 意法半导体二极管, 最大连续正向电流5A, 峰值反向重复电压600V, 表面贴装安装, DPAK (TO-252)封装, 3引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: DPAK (TO-252) 最大连续正向电流: 5A 峰值反向重复电压: 600V 二极管配置: 单路 整流器类型: 切换 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.85V 每片芯片元件数目: 1 二极管技术: 硅结型 峰值反向回复时间: 50ns 峰值非重复正向浪涌电流: 55A
L7815CV
供应商: RS
分类: 调压器
描述: 意法半导体 电压调节器, 3引脚
调节器类型: 线性电压 最大输出电流: 1.5A 输出数目: 1 输出电压: 15 V 线路调节: 300 mV 负荷调节: 300 mV 极性: 正极 安装类型: 通孔 静态电流: 8mA 封装类型: TO-220 引脚数目: 3 输出类型: 固定 尺寸: 10.4 x 4.6 x 9.15mm 最低工作温度: 0 °C 最高工作温度: +150 °C 最大输入电压: 35 V 高度: 9.15mm
供应商: RS
分类: 调压器
描述: 意法半导体 电压调节器, 3引脚
调节器类型: 线性电压 最大输出电流: 1.5A 输出数目: 1 输出电压: 15 V 线路调节: 300 mV 负荷调节: 300 mV 极性: 正极 安装类型: 通孔 静态电流: 8mA 封装类型: TO-220 引脚数目: 3 输出类型: 固定 尺寸: 10.4 x 4.6 x 9.15mm 最低工作温度: 0 °C 最高工作温度: +150 °C 最大输入电压: 35 V 高度: 9.15mm
STF2HNK60Z
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 意法半导体 MOSFET, MDmesh, SuperMESH 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 2 A, 3引脚 TO-220FP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 2 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-220FP 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 4.8 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 20 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V 宽度: 4.6mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.4mm 最低工作温度: -55 °C 系列: MDmesh, SuperMESH 高度: 16.4mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 意法半导体 MOSFET, MDmesh, SuperMESH 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 2 A, 3引脚 TO-220FP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 2 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: TO-220FP 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 4.8 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 20 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 10 V 宽度: 4.6mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.4mm 最低工作温度: -55 °C 系列: MDmesh, SuperMESH 高度: 16.4mm
VIPER100-E
供应商: RS
分类: 电流模式PWM控制器
描述: 意法半导体 PWM 电流模式控制器, 通孔, 5引脚, PENTAWATT封装, 电流控制
最高开关频率: 200 kHz 输出电流: 3 A 控制方法: 电流 下降时间: 100ns 安装类型: 通孔 上升时间: 50ns 封装类型: PENTAWATT 引脚数目: 5 尺寸: 10.4 x 4.8 x 9.2mm 长度: 10.4mm 宽度: 4.8mm 高度: 9.2mm
供应商: RS
分类: 电流模式PWM控制器
描述: 意法半导体 PWM 电流模式控制器, 通孔, 5引脚, PENTAWATT封装, 电流控制
最高开关频率: 200 kHz 输出电流: 3 A 控制方法: 电流 下降时间: 100ns 安装类型: 通孔 上升时间: 50ns 封装类型: PENTAWATT 引脚数目: 5 尺寸: 10.4 x 4.8 x 9.2mm 长度: 10.4mm 宽度: 4.8mm 高度: 9.2mm
STB9NK60ZT4
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 意法半导体, MDmesh, SuperMESH系列, 场效应管Mosfet, NMOS, D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 950 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 125 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 典型栅极电荷@Vgs: 38 nC @ 10 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.4mm 宽度: 9.35mm 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 意法半导体, MDmesh, SuperMESH系列, 场效应管Mosfet, NMOS, D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 950 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 125 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 典型栅极电荷@Vgs: 38 nC @ 10 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.4mm 宽度: 9.35mm 晶体管材料: Si
LM224D
供应商: RS
分类: 运算放大器
描述: 意法半导体 运算放大器, SOIC封装, 四路通道, 表面贴装安装, 双，单电源, 低功耗, 14引脚
放大器类型: 低功耗 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 电源类型: 双，单 每片芯片通道数目: 4 引脚数目: 14 典型单电源电压: 5 → 28 V 典型增加带宽产品: 1.3MHz 典型双电源电压: ±12 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V 典型转换速率: 0.4V/µs 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +105 °C 长度: 8.75mm 尺寸: 8.75 x 4 x 1.65mm 高度: 1.65mm 轨对轨: 无 典型输入电压噪声密度: 40nV/√Hz 宽度: 4mm 典型电压增益: 100 dB
供应商: RS
分类: 运算放大器
描述: 意法半导体 运算放大器, SOIC封装, 四路通道, 表面贴装安装, 双，单电源, 低功耗, 14引脚
放大器类型: 低功耗 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 电源类型: 双，单 每片芯片通道数目: 4 引脚数目: 14 典型单电源电压: 5 → 28 V 典型增加带宽产品: 1.3MHz 典型双电源电压: ±12 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V 典型转换速率: 0.4V/µs 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +105 °C 长度: 8.75mm 尺寸: 8.75 x 4 x 1.65mm 高度: 1.65mm 轨对轨: 无 典型输入电压噪声密度: 40nV/√Hz 宽度: 4mm 典型电压增益: 100 dB
BTW69-1200N
供应商: RS
分类: 晶闸管
描述: 意法半导体 双向晶闸管, Vrrm=1200V, SCR体管, 平均通态电流 31A, 最大栅极触发电流 50mA, 通孔安装, 3引脚 TOP3封装
额定平均通态电流: 31A 闸流晶体管类型: SCR 封装类型: TOP3 重复峰值反向电压: 1200V 浪涌电流额定值: 763A 安装类型: 通孔 最大栅极触发电流: 50mA 最大栅极触发电压: 1.3V 最大保持电流: 100mA 引脚数目: 3 长度: 15.5mm 宽度: 4.6mm 高度: 21.1mm 尺寸: 15.5 x 4.6 x 21.1mm 重复峰值正向阻断电压: 1200V 最高工作温度: +125 °C 峰值通态电压: 1.6V 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: 晶闸管
描述: 意法半导体 双向晶闸管, Vrrm=1200V, SCR体管, 平均通态电流 31A, 最大栅极触发电流 50mA, 通孔安装, 3引脚 TOP3封装
额定平均通态电流: 31A 闸流晶体管类型: SCR 封装类型: TOP3 重复峰值反向电压: 1200V 浪涌电流额定值: 763A 安装类型: 通孔 最大栅极触发电流: 50mA 最大栅极触发电压: 1.3V 最大保持电流: 100mA 引脚数目: 3 长度: 15.5mm 宽度: 4.6mm 高度: 21.1mm 尺寸: 15.5 x 4.6 x 21.1mm 重复峰值正向阻断电压: 1200V 最高工作温度: +125 °C 峰值通态电压: 1.6V 最低工作温度: -40 °C