英飞凌
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BCW61CE6327HTSA1
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: 英飞凌 双极晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 100 mA, SOT-23封装, 250 MHz, 3引脚
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 32 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 330 mW 最小直流电流增益: 380 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 32 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 250 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最大集电极-发射极饱和电压: 0.55 V 最大基极-发射极饱和电压: 1.05 V 宽度: 1.3mm 高度: 0.9mm 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 2.9 x 1.3 x 0.9mm 长度: 2.9mm
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: 英飞凌 双极晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 100 mA, SOT-23封装, 250 MHz, 3引脚
晶体管类型: PNP 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 32 V 封装类型: SOT-23 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 330 mW 最小直流电流增益: 380 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 32 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 250 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 最大集电极-发射极饱和电压: 0.55 V 最大基极-发射极饱和电压: 1.05 V 宽度: 1.3mm 高度: 0.9mm 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 2.9 x 1.3 x 0.9mm 长度: 2.9mm
IRF6717MTR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, DirectFET, HEXFET 系列, N沟道, Vds=25 V, 38 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 38 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 1 mΩ 最大栅阈值电压: 2.35V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2.8 W 最高工作温度: +150 °C 系列: DirectFET, HEXFET 高度: 0.62mm 典型栅极电荷@Vgs: 46 nC @ 4.5 V 最低工作温度: -40 °C 长度: 5.45mm 尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.62mm 典型接通延迟时间: 25 ns 宽度: 5.05mm 每片芯片元件数目: 1 典型输入电容值@Vds: 6750 pF @ 13 V 典型关断延迟时间: 19 ns
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, DirectFET, HEXFET 系列, N沟道, Vds=25 V, 38 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 38 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 1 mΩ 最大栅阈值电压: 2.35V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2.8 W 最高工作温度: +150 °C 系列: DirectFET, HEXFET 高度: 0.62mm 典型栅极电荷@Vgs: 46 nC @ 4.5 V 最低工作温度: -40 °C 长度: 5.45mm 尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.62mm 典型接通延迟时间: 25 ns 宽度: 5.05mm 每片芯片元件数目: 1 典型输入电容值@Vds: 6750 pF @ 13 V 典型关断延迟时间: 19 ns
IRF6715MTR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, DirectFET, HEXFET 系列, N沟道, Vds=25 V, 34 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 34 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 2 mΩ 最大栅阈值电压: 2.4V 最小栅阈值电压: 1.4V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 7 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2.8 W 高度: 0.6mm 典型输入电容值@Vds: 5340 pF @ 13 V 典型关断延迟时间: 16 ns 系列: DirectFET, HEXFET 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 40 nC @ 4.5 V 最低工作温度: -40 °C 长度: 5.45mm 尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.6mm 典型接通延迟时间: 20 ns 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.05mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, DirectFET, HEXFET 系列, N沟道, Vds=25 V, 34 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 34 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 2 mΩ 最大栅阈值电压: 2.4V 最小栅阈值电压: 1.4V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 7 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2.8 W 高度: 0.6mm 典型输入电容值@Vds: 5340 pF @ 13 V 典型关断延迟时间: 16 ns 系列: DirectFET, HEXFET 最高工作温度: +150 °C 典型栅极电荷@Vgs: 40 nC @ 4.5 V 最低工作温度: -40 °C 长度: 5.45mm 尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.6mm 典型接通延迟时间: 20 ns 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.05mm
IRFU3504ZPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=40 V, 77 A, 3引脚 IPAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 77 A 最大漏源电压: 40 V 最大漏源电阻值: 9 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 90000 mW 宽度: 2.3mm 典型关断延迟时间: 30 ns 典型输入电容值@Vds: 1510 pF @ 25 V 典型栅极电荷@Vgs: 30 nC @ 10 V 典型接通延迟时间: 15 ns 最低工作温度: -55 °C 每片芯片元件数目: 1 长度: 6.6mm 尺寸: 6.6 x 2.3 x 6.1mm 系列: HEXFET 高度: 6.1mm 最高工作温度: +175 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=40 V, 77 A, 3引脚 IPAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 77 A 最大漏源电压: 40 V 最大漏源电阻值: 9 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 90000 mW 宽度: 2.3mm 典型关断延迟时间: 30 ns 典型输入电容值@Vds: 1510 pF @ 25 V 典型栅极电荷@Vgs: 30 nC @ 10 V 典型接通延迟时间: 15 ns 最低工作温度: -55 °C 每片芯片元件数目: 1 长度: 6.6mm 尺寸: 6.6 x 2.3 x 6.1mm 系列: HEXFET 高度: 6.1mm 最高工作温度: +175 °C
BSC070N10NS3G
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, OptiMOS 3系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TDSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 100 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TDSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 8.6 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 156 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 宽度: 5.35mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 63 nC @ 10 V 长度: 6.1mm 最高工作温度: +150 °C 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, OptiMOS 3系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TDSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 100 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TDSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 8.6 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 156 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 宽度: 5.35mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 63 nC @ 10 V 长度: 6.1mm 最高工作温度: +150 °C 每片芯片元件数目: 1
IPB034N03LG
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, OptiMOS 3系列, 场效应管Mosfet, NMOS, D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 80 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 4.7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.2V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 94 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 晶体管材料: Si 宽度: 9.45mm 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 51 nC @ 10 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 10.31mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, OptiMOS 3系列, 场效应管Mosfet, NMOS, D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 80 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 4.7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.2V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 94 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 晶体管材料: Si 宽度: 9.45mm 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 51 nC @ 10 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 10.31mm
IRS21864PBF
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 双路, 4A, 14引脚 PDIP封装 非反相 高侧和低侧
驱动器数目: 2 最小工作电源电压: 10 V 最大工作电源电压: 20 V 拓扑: 高侧和低侧 安装类型: 通孔 峰值输出电流: 4A 输出数目: 2 极性: 非反相 封装类型: PDIP 引脚数目: 14 输入逻辑兼容性: CMOS，LSTTL 高压侧和低压侧相关性: 独立 最低工作温度: -40 °C 高度: 5.33mm 宽度: 7.11mm 长度: 20.19mm 尺寸: 20.19 x 7.11 x 5.33mm 最高工作温度: +125 °C
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 双路, 4A, 14引脚 PDIP封装 非反相 高侧和低侧
驱动器数目: 2 最小工作电源电压: 10 V 最大工作电源电压: 20 V 拓扑: 高侧和低侧 安装类型: 通孔 峰值输出电流: 4A 输出数目: 2 极性: 非反相 封装类型: PDIP 引脚数目: 14 输入逻辑兼容性: CMOS，LSTTL 高压侧和低压侧相关性: 独立 最低工作温度: -40 °C 高度: 5.33mm 宽度: 7.11mm 长度: 20.19mm 尺寸: 20.19 x 7.11 x 5.33mm 最高工作温度: +125 °C
IRF6614TR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=40 V, 12.7 A, 7引脚 DirectFET ST封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12.7 A 最大漏源电压: 40 V 最大漏源电阻值: 8 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET ST 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2.1 W 典型输入电容值@Vds: 2560 pF @ 20 V 典型关断延迟时间: 18 ns 最低工作温度: -40 °C 长度: 4.85mm 尺寸: 4.85 x 3.95 x 0.62mm 宽度: 3.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 19 nC @ 4.5 V 典型接通延迟时间: 13 ns 每片芯片元件数目: 1 高度: 0.62mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=40 V, 12.7 A, 7引脚 DirectFET ST封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12.7 A 最大漏源电压: 40 V 最大漏源电阻值: 8 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET ST 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2.1 W 典型输入电容值@Vds: 2560 pF @ 20 V 典型关断延迟时间: 18 ns 最低工作温度: -40 °C 长度: 4.85mm 尺寸: 4.85 x 3.95 x 0.62mm 宽度: 3.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 19 nC @ 4.5 V 典型接通延迟时间: 13 ns 每片芯片元件数目: 1 高度: 0.62mm 最高工作温度: +150 °C
IM69D130V01XTSA1
供应商: RS
分类: 声音传感器
描述: 英飞凌 麦克风, 3.6V操作电压, 5 针 LLGA
方向性: 全向 标准操作电压: 3.6V 频率响应: 3 (Phase) kHz, 28 (Flat) Hz 安装类型: 表面贴装 工作温度范围: -40 → +100 °C 尺寸: 4 x 3 x 1.2mm 封装类型: LLGA 引脚数目: 5 端口位置: 底部
供应商: RS
分类: 声音传感器
描述: 英飞凌 麦克风, 3.6V操作电压, 5 针 LLGA
方向性: 全向 标准操作电压: 3.6V 频率响应: 3 (Phase) kHz, 28 (Flat) Hz 安装类型: 表面贴装 工作温度范围: -40 → +100 °C 尺寸: 4 x 3 x 1.2mm 封装类型: LLGA 引脚数目: 5 端口位置: 底部
BC850CW
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: 英飞凌 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 100 mA, SOT-323 (SC-70)封装, 250 MHz, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 45 V 封装类型: SOT-323 (SC-70) 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 250 mW 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 50 V 最大发射极-基极电压: 6 V 最大工作频率: 250 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 2 x 1.25 x 0.8mm
供应商: RS
分类: 双极晶体管
描述: 英飞凌 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 100 mA, SOT-323 (SC-70)封装, 250 MHz, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 45 V 封装类型: SOT-323 (SC-70) 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 250 mW 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 50 V 最大发射极-基极电压: 6 V 最大工作频率: 250 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 2 x 1.25 x 0.8mm