TAIWAN SEMICONDUCTOR(台湾半导体)

None

商品列表
TSSA3U60R3G
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 3A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr、F 时电容: 450pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 60V 反向恢复时间 (trr): 25ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 540mV @ 3A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500µA @ 60V
BAV19WS-GRRG
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr、F 时电容: 5pF @ 0V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100V 反向恢复时间 (trr): 50ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25V @ 100mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100nA @ 100V
SK310BR5G
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AA
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 3A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA,SMB 供应商器件封装: DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 850mV @ 3A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100µA @ 100V
2A04GA0G
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 带盒(TB) 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 2A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AC,DO-15,轴向 供应商器件封装: DO-204AC(DO-15) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1V @ 2A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 400V
ES2GM4G
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 2A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr、F 时电容: 20pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA,SMB 供应商器件封装: DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400V 反向恢复时间 (trr): 35ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3V @ 2A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 400V
UGS5JHMNG
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: Automotive, AEC-Q101 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 5A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600V 反向恢复时间 (trr): 20ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2V @ 5A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20µA @ 600V
SFAS801GMNG
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 8A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr、F 时电容: 80pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50V 反向恢复时间 (trr): 35ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950mV @ 8A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 50V
SFAS806GHMNG
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: Automotive, AEC-Q101 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 8A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr、F 时电容: 60pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400V 反向恢复时间 (trr): 35ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3V @ 8A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 400V
SFAS805GHMNG
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: Automotive, AEC-Q101 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 8A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr、F 时电容: 60pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 300V 反向恢复时间 (trr): 35ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3V @ 8A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 300V
SFAS802GMNG
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 8A 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr、F 时电容: 80pF @ 4V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100V 反向恢复时间 (trr): 35ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950mV @ 8A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 100V