VISHAY SILICONIX

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DG309BDQ-T1
供应商: Digi-Key
分类: 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
描述: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 停產 开关电路: SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路: 1:1 导通电阻(最大值): 85 欧姆 通道至通道匹配 (ΔRon): 1.7 欧姆 电压 - 电源,单 (V+): 4V ~ 44V 电压 - 供电,双 (V±): ±4V ~ 22V 开关时间 (Ton, Toff)(最大值): 200ns,150ns -3db 带宽: - 电荷注入: 1pC 沟道电容 (CS(off),CD(off)): 5pF,5pF 电流 - 漏泄 (IS(off))(最大值): 500pA 串扰: -95dB @ 100kHz 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-TSSOP(0.173,4.40mm 宽) 供应商器件封装: 16-TSSOP 电路数: 4 基本产品编号: DG309
SI1427EDH-T1-GE3
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Vgs(th)(Max)@Id: 1V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 1.5V, 4.5V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 21 nC @ 8 V SupplierDevicePackage: SC-70-6 BaseProductNumber: SI1427 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 2A (Tc) Vgs(Max): ±8V Mfr: Vishay Siliconix PowerDissipation(Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 20 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V Package/Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount Series: TrenchFET® FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095
SIA430DJ-T4-GE3
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® 包装: 卷带(TR) 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Ta),12A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.5 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA Vgs(最大值): ±20V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 3.5W(Ta),19.2W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerPAK® SC-70-6 单 封装/外壳: PowerPAK® SC-70-6 漏源电压(Vdss): 20V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 800pF @ 10V 基本产品编号: SIA430
IRFPC50
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA Vgs(最大值): ±20V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 180W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压(Vdss): 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2700 pF @ 25 V 基本产品编号: IRFPC50
IRFBF30SPBF
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.7 欧姆 @ 2.2A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA Vgs(最大值): ±20V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 125W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 漏源电压(Vdss): 900 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF @ 25 V 基本产品编号: IRFBF30
IRFBC40LCSTRL
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 @ 3.7A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA Vgs(最大值): ±30V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 125W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 漏源电压(Vdss): 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 39 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100 pF @ 25 V 基本产品编号: IRFBC40
SQM100N02-3M5L_GE3
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 20V 100A TO263
制造商: Vishay Siliconix 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA Vgs(最大值): ±20V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 150W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263(D²Pak) 封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 漏源电压(Vdss): 20 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 110 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5500 pF @ 10 V 基本产品编号: SQM100
IRFIBE30GPBF
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Vgs(th)(Max)@Id: 4V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 78 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: TO-220-3 BaseProductNumber: IRFIBE30 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 2.1A (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: Vishay Siliconix PowerDissipation(Max): 35W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 800 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V Package/Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 1300 pF @ 25 V Series: - FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
SIP32401DNP-T1-GE4
供应商: Digi-Key
分类: PMIC - 配电开关,负载驱动器
描述: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 停產 开关类型: 通用 输出数: 1 比率 - 输入:输出: 1:1 输出配置: 高端 输出类型: N 通道 接口: 开/关 电压 - 负载: 1.1V ~ 5.5V 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要 电流 - 输出(最大值): 2.4A 导通电阻(典型值): 62 毫欧 输入类型: 非反相 特性: 压摆率受控型 故障保护: - 工作温度: -40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 4-TDFN(1.2x1.6) 封装/外壳: 4-UFDFN 裸露焊盘 基本产品编号: SIP324
SIR436DP-T1-GE3
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA Vgs(最大值): ±20V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 5W(Ta),50W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 漏源电压(Vdss): 25 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 47 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1715 pF @ 15 V 基本产品编号: SIR436