北京京北通宇电子元件有限公司
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IMZA120R020M1HXKSA1 INFINEON
场效应管(MOSFET)
The CoolSiC™ 1200 V, 20 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability
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SPA07N60C3XKSA1 INFINEON
场效应管(MOSFET)
Replacement for 600V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7 600V CoolMOS™ C3 is Infineons third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the working horse of the portfolio.
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IPB320P10LMATMA1 INFINEON
场效应管(MOSFET)
OptiMOS™ P-Channel MOSFETs 100V in D²PAK package represents the new technology targeted for battery management , load switch and reverse polarity protection applications
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IPL60R160CFD7AUMA1 INFINEON
场效应管(MOSFET)
The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Q g) , improved turn-off behavior and a reverse recove
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IPB65R190C7ATMA2 INFINEON
场效应管(MOSFET)
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest R DS(on) /package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
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IPB80R290C3AATMA2 INFINEON
场效应管(MOSFET)
The CoolMOS™ C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.
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BSC120N03MSGATMA1 INFINEON
场效应管(MOSFET)
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 3
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IRFS3307ZTRLPBF INFINEON
场效应管(MOSFET)
75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
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IRLHM620TRPBF INFINEON
场效应管(MOSFET)
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications i
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IM393L6FXKLA1 INFINEON
电源管理(PMIC)
CIPOS™ Tiny 600 V, 15 A three-phase IGBT based Intelligent Power Module with open emitter in SIP 34x15 package, providing fully-featured compact inverter solution with excellent thermal conduction for motor drive applications. CIPOS™ Tiny SIP series enable
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BSC050N03LSG INFINEON
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IPW65R048CFDA INFINEON
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随着ChatGPT爆火,国内地方政府、科研机构、科技企业纷纷表示,已经着手类ChatGPT大模型技术的研究和推进,这是一件具有长远战略意义的事。
5954
2023年4月3日 16:15
从OpenAI去年底推出ChatGPT以来,人工智能领域持续火热。近日,高潮更是一波接着一波,首先是OpenAI继ChatGPT之后又推出了更强大的大型多模态模型GPT-4,接着是国内百度终于正式发布了其大型语言模型文心一言。昨日,微软宣布将GPT-4全面接入所有办公软件,更是炸翻全场。
5754
2023年3月18日 12:26
日前,埃隆·马斯克以Neuralink公司老板的身份宣布,预计将在6个月后进行大脑芯片的人体试验。“Neuralink公司已经向美国食品药品监督管理局提交文件。我们将谨慎地把芯片放入人体内,以确保它能正常工作。”
7346
2022年12月5日 11:04
俄乌冲突以来,美国与欧盟纷纷对俄罗斯采取了制裁措施,近日从一名美国官员口中传出了由于遭到欧美制裁,俄罗斯多数军工及民用产业均受到极大影响的消息。
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2022年4月6日 03:21
根据韩媒zdnet报道,三星显示(以下SDC)将从明年3季度开始从忠南牙山的Q1工厂生产出65吋4K像素 QD OLED面板。面板将供应至三星电子和索尼,初期的量产数量约在20万台。
2285
2022年4月5日 13:00
电子发烧友网报道(文/李弯弯)俄乌开战之后,美国出台全面的制裁和出口管制措施,包括禁止向俄罗斯出售指定的高科技产品,包括高端半导体产品。
1813
2022年4月5日 12:36
3月19日,日本软银集团旗下的Arm公司确认将停止俄罗斯业务,正式加入了制裁俄罗斯的队列中。目前,全球两大主流的处理器架构X86和ARM均在俄罗斯被禁用。
2347
2022年4月5日 12:21
美国找回半导体霸主地位的决心似乎已经愈发昭然若揭了,在半导体制造上,一大批晶圆代工厂纷纷前往美国建厂,诸如台积电、三星等。然而,在学术研究上,本就位于前列的老美似乎还想更近一步,充分利用全球顶尖半导体公司的技术和人才储备,来提升其学术实力,这其中首当其冲的领域就是AI。
2178
2022年4月5日 12:14
经常有朋友问,“为什么认为众核异构计算是必然趋势呢?”。实际上这个问题在业内已经是共识了,所以本文希望从更浅显的角度来解释这个问题。
2105
2022年4月5日 12:07
电子发烧友网报道(文/李弯弯)近年来,DPU异常火热,除了传统芯片巨头企业积极布局DPU产品研发之外,国内涌现出十多家DPU创业企业,包括芯启源、中科驭数、云豹智能、星云智联等,与此同时,资本也大手笔密集进入该赛道。
2286
2022年4月5日 10:58