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IPAW60R190CEXKSA1 INFINEON
场效应管(MOSFET)
Improved creepage distance for open frame power supplies CoolMOS™ CE in TO-220 FullPAK Wide Creepage package offers an extended creepage by increasing the distance between pins to 4.25mm versus the usual 2.54mm of the widely used TO-220 FullPAK package. Th
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IPAW60R180P7SXKSA1 INFINEON
场效应管(MOSFET)
The 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R on xA and the inherently low gate charge
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IPAN80R450P7XKSA1 INFINEON
场效应管(MOSFET)
800V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio
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IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON
场效应管(MOSFET)
Developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance
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1EDI05I12AHXUMA1 INFINEON
栅极驱动IC
EiceDRIVER™ 1200 V high-side gate driver IC with typical 1.3 A source and 0.9 A sink currents in DSO-8 package with UL certified galvanic isolation, active Miller clamp and short circuit clamping for IGBT Modules . For higher isolation rating, higher curre
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2EDN8523RXUMA1 INFINEON
栅极驱动IC
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
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IR2101PBF INFINEON
栅极驱动IC
600 V High and Low Side Driver IC with typical 0.21 A source and 0.36 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC.
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IR2109SPBF INFINEON
栅极驱动IC
EiceDRIVER™ 600 V half bridge gate driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs . Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP. For the new version with our SOI technology we rec
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IR2127PBF INFINEON
栅极驱动IC
600 V High Side Driver IC with typical 0.25 A source and 0.5 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC.
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IR2183PBF INFINEON
栅极驱动IC
600 V Half Bridge Driver IC with typical 1.9 A source and 2.3 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP. For the new version with our SOI technology we recommend 2ED2183S06F
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IR2214SSPBF INFINEON
栅极驱动IC
EiceDRIVER™ 1200 V half-bridge gate driver IC with typical 2 A source and 3 A sink currents in SSOP-24 lead package for IGBT discretes and IGBT modules
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IRS2011PBF INFINEON
栅极驱动IC
EiceDRIVER™ 200 V high and low side gate driver IC with typical 1 A source and 1 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs . Also available in 8 Lead SOIC.
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随着ChatGPT爆火,国内地方政府、科研机构、科技企业纷纷表示,已经着手类ChatGPT大模型技术的研究和推进,这是一件具有长远战略意义的事。
5954
2023年4月3日 16:15
从OpenAI去年底推出ChatGPT以来,人工智能领域持续火热。近日,高潮更是一波接着一波,首先是OpenAI继ChatGPT之后又推出了更强大的大型多模态模型GPT-4,接着是国内百度终于正式发布了其大型语言模型文心一言。昨日,微软宣布将GPT-4全面接入所有办公软件,更是炸翻全场。
5754
2023年3月18日 12:26
日前,埃隆·马斯克以Neuralink公司老板的身份宣布,预计将在6个月后进行大脑芯片的人体试验。“Neuralink公司已经向美国食品药品监督管理局提交文件。我们将谨慎地把芯片放入人体内,以确保它能正常工作。”
7346
2022年12月5日 11:04
俄乌冲突以来,美国与欧盟纷纷对俄罗斯采取了制裁措施,近日从一名美国官员口中传出了由于遭到欧美制裁,俄罗斯多数军工及民用产业均受到极大影响的消息。
10126
2022年4月6日 03:21
根据韩媒zdnet报道,三星显示(以下SDC)将从明年3季度开始从忠南牙山的Q1工厂生产出65吋4K像素 QD OLED面板。面板将供应至三星电子和索尼,初期的量产数量约在20万台。
2285
2022年4月5日 13:00
电子发烧友网报道(文/李弯弯)俄乌开战之后,美国出台全面的制裁和出口管制措施,包括禁止向俄罗斯出售指定的高科技产品,包括高端半导体产品。
1813
2022年4月5日 12:36
3月19日,日本软银集团旗下的Arm公司确认将停止俄罗斯业务,正式加入了制裁俄罗斯的队列中。目前,全球两大主流的处理器架构X86和ARM均在俄罗斯被禁用。
2347
2022年4月5日 12:21
美国找回半导体霸主地位的决心似乎已经愈发昭然若揭了,在半导体制造上,一大批晶圆代工厂纷纷前往美国建厂,诸如台积电、三星等。然而,在学术研究上,本就位于前列的老美似乎还想更近一步,充分利用全球顶尖半导体公司的技术和人才储备,来提升其学术实力,这其中首当其冲的领域就是AI。
2178
2022年4月5日 12:14
经常有朋友问,“为什么认为众核异构计算是必然趋势呢?”。实际上这个问题在业内已经是共识了,所以本文希望从更浅显的角度来解释这个问题。
2105
2022年4月5日 12:07
电子发烧友网报道(文/李弯弯)近年来,DPU异常火热,除了传统芯片巨头企业积极布局DPU产品研发之外,国内涌现出十多家DPU创业企业,包括芯启源、中科驭数、云豹智能、星云智联等,与此同时,资本也大手笔密集进入该赛道。
2286
2022年4月5日 10:58