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CC1125RHBR TI 其他RFIC和模块 CC1125 是一款全集成单芯片射频收发器，此器件设计用于在成本有效无线系统中实现极低功耗和低压运行的高性能。 所有滤波器都已集成，因此无需昂贵的外部表面声波 (SAW) 和中频 (IF) 滤波器。 该器件主要用于 ISM（工业、科学和医疗）以及处于 164-192MHz，274-320MHz，410-480MHz 和 820-960MHz 的 SRD（短程设备） 频带。; CC1125 器件提供广泛硬件支持，以实现数据包处理、数据缓冲、突发传输、空闲信道评估、链路质量指示和无线电唤醒。 CC1125 器件 查看详细

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CC2530F256RHAR TI 其他RFIC和模块 The CC2530 is a true system-on-chip (SoC) solution for IEEE 802.15.4, Zigbee and RF4CE applications. It enables robust network nodes to be built with very low total bill-of-material costs. The CC2530 combines the excellent performance of a leading RF trans 查看详细

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CC1110F32RHHR TI 其他RFIC和模块 The CC1110Fx, CC1111Fx is a true low-power sub- 1 GHz system-on-chip (SoC) designed for low power wireless applications. The CC1110Fx, CC1111Fx combines the excellent performance of the state-of-the-art RF transceiver CC1101 with an industry-standard enhan 查看详细

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CC1200RHBR TI 其他RFIC和模块 CC1200 器件是一款全集成单芯片射频收发器，此器件设计用于在成本有效无线系统中实现极低功耗和低压运行的高性能。 所有滤波器都已集成，因此无需昂贵的外部表面声波 (SAW) 和中频 (IF) 滤波器。 该器件主要用于 ISM（工业、科学和医疗）以及处于 164-190MHz，410-475MHz 和 820-950MHz 的 SRD（短程设备）频带。; CC1200 器件提供广泛硬件支持，以实现数据包处理、数据缓冲、突发传输、空闲信道评估、链路质量指示和无线电唤醒。 CC1200 器件的主要运行参数可由 查看详细

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CC2640F128RHBR TI 微控制器（MCU） CC2640 器件是一款无线微控制器 (MCU)，主要适用于 Bluetooth; 低功耗 应用。; 此器件属于 SimpleLink™ CC26xx 系列中的经济高效型超低功耗 2.4GHz RF 器件。它具有极低的有源 RF 和 MCU 电流以及低功耗模式流耗，可确保卓越的电池使用寿命，适合小型纽扣电池供电以及在能源采集型应用中 使用。; SimpleLink Bluetooth 低功耗 CC2640 器件含有一个 32 位 ARM; Cortex; -M3 内核（与主处理器工作频率同为 48MHz）， 查看详细

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CC2540F256RHAR TI 其他RFIC和模块 The CC2540 is a cost-effective, low-power, true system-on-chip (SoC) for; low energy applications. It enables robust BLE master or slave nodes to be built with very low total bill-of-material costs. The CC2540 combines an excellent RF transceiver with an i 查看详细

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CSD16323Q3 TI 场效应管（MOSFET） 25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 SON3x3、5.5mΩ 查看详细

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CSD17309Q3 TI 场效应管（MOSFET） 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 SON3x3、6.3mΩ 查看详细

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CSD18503Q5A TI 场效应管（MOSFET） 40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 SON5x6、4.3mΩ 查看详细

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CSD19538Q3A TI 场效应管（MOSFET） 这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。 查看详细

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CSD13381F4 TI 场效应管（MOSFET） 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD13381F4 查看详细

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CSD17585F5 TI 场效应管（MOSFET） 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 LGA 0.8x1.5、33mΩ 查看详细