BSH114,215
产品型号:

BSH114,215

制造商:

NEXPERIA B.V.

产品分类: 晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23
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FET类型

N 沟道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)

10V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

500 毫欧 @ 500mA,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

4.6nC @ 10V

Vgs(最大值)

±20V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)

138pF @ 25V

FET功能

-

功率耗散(最大值)

360mW(Ta),830mW(Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装

供应商器件封装

TO-236AB

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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全芯自营
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updated: 2019-09-17 19:45:28