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UCC27424DR TI 其他驱动芯片 The UCC2742x family of high-speed dual MOSFET drivers can deliver large peak currents into capacitive loads. Three standard logic options are offered – dual-inverting, dual-noninverting, and one-inverting and one-noninverting driver. The thermally enhanced 查看详细

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SN75452BD TI 电源管理（PMIC） The SN5545xB and SN7545xB devices are dual-peripheral drivers designed for use in systems that employ TTL logic. This family is functionally interchangeable with and replaces the SN75450 family and the SN75450A family devices manufactured previously. The s 查看详细

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UCC27524ADR TI 其他驱动芯片 UCC27524A 器件是一款双通道、高速、低侧、栅极驱动器器件，此器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。 UCC27524A 是 UCC2752x 系列的一个变化器件。 为了增加稳定耐用性，UCC27524A 在输入引脚上增加了直接处理 –5V 电压的能力。 UCC27524A 是一款双路非反相驱动器。 使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC27524A 能够将高达 5A 源电流和 5A 灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此 查看详细

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TPS2812DR TI 其他驱动芯片 The TPS28xx series of dual high-speed MOSFET drivers are capable of delivering peak currents of 2 A into highly capacitive loads. This performance is achieved with a design that inherently minimizes shoot-through current and consumes an order of magnitude 查看详细

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UCC27524DR TI 其他驱动芯片 UCC2752x 系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够有效地驱动 MOSFET 和绝缘栅极型功率管 (IGBT) 电源开关。 使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x 能够将高达 5A 拉电流和 5A 灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为 13ns 的极小传播延迟。 除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。 这还使得两个通道可以并连，以有效地增加电流 查看详细

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UCC27524DGNR TI 其他驱动芯片 UCC2752x 系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够有效地驱动 MOSFET 和绝缘栅极型功率管 (IGBT) 电源开关。 使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x 能够将高达 5A 拉电流和 5A 灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为 13ns 的极小传播延迟。 除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。 这还使得两个通道可以并连，以有效地增加电流 查看详细

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LM5109BMAXNOPB TI 其他驱动芯片 LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空; 高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和; CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。 查看详细

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UCC27517DBVR TI 其他驱动芯片 UCC27516 和 UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。UCC27516 和 UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为 13ns）。; 当 VDD = 12V 时，UCC27516 和 UCC27517 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。; UCC27516 和 U 查看详细

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TLC7135CDWR TI 其他数据转换器 The ICL7135C and TLC7135C converters are manufactured with Texas Instruments highly efficient CMOS technology. These 4 1/2-digit, dual-slope-integrating, analog-to-digital converters (ADCs) are designed to provide interfaces to both a microprocessor and a 查看详细

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DRV8833CPWPR TI 电机驱动芯片 DRV8833C 为玩具、打印机及其他机电一体化应用提供了一款双桥电机驱动器解决方案。; 该器件具有两个 H 桥驱动器，能够驱动两个直流电刷电机、一个双极性步进电机、螺线管或其它电感性负载。; 每个 H 桥输出都包括一对 N 通道和 P 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 以及用于调节绕组电流的电路。 借助正确的印刷电路板 (PCB) 设计，DRV8833C 的每个 H 桥能够持续驱动高达 700mA RMS（或 DC）（在 25°C 采用 5V V; 电源时）。该器件可支持每个 H 桥高达 查看详细

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DRV8837CDSGR TI 电机驱动芯片 DRV8837C 器件提供了一套集成型电机驱动器解决方案，主要面向照相机、消费类产品、玩具以及其他低电压和电池供电类运动控制 应用。此器件能够驱动一个直流电机或其他诸如螺线管的器件。输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 组成，用以驱动电机绕组。一个内部电荷泵被用来生成所需的栅极驱动电压。; DRV8837C 器件可以提供高达 1A 的输出电流。该器件的电机电源电压为 0 至 11V，其控制逻辑工作电源轨为 1.8V 至 5V。; DRV8837C 器件有一个 PWM (IN/IN) 查看详细

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DRV8833PWPR TI 电机驱动芯片 DRV8833器件为玩具、打印机及其他机电一体化应用提供了一款双桥电机驱动器 解决方案。; 该器件具有两个 H 桥驱动器，能够驱动两部直流刷式电机、一部双极步进电机、多个螺线管或其他感性负载。; 每个 H 桥的输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 组成，用于驱动电机绕组。每个 H 桥均具备调节或限制绕组电流的电路。; 该器件利用故障输出引脚实现内部关断功能，提供过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护。另外，还提供了一种低功耗休眠模式。; DRV8833 采用带有 PowerPAD16 查看详细