物料参数
视频文件: | MOSFET Technologies for Power Conversion |
PCN组件/产地: | SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 |
类别: | 分立半导体产品 |
家庭: | FET - 单 |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 带卷(TR) |
FET类型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET功能: | 标准 |
漏源极电压(Vdss): | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时): | 17.3A(Tc) |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 14 毫欧 @ 10.5A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg): | 115nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss): | 4250pF @ 20V |
功率-最大值: | 7.14W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |