物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Central Semiconductor Corp |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 2 NPN，2 PNP |
| 电流-集电极（Ic）（最大值）: | 500mA |
| 电压-集射极击穿（最大值）: | 30V |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: | 1.4V @ 30mA，300mA |
| 电流-集电极截止（最大值）: | 30nA（ICBO） |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: | 30 @ 300mA，10V |
| 功率-最大值: | 650mW |
| 频率-跃迁: | 200MHz |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | 14-DIP（0.300，7.62mm） |
| 供应商器件封装: | TO-116 |