SISA12DN-T1-GE3

制造商: 供应商:

分类: 分立半导体产品

Datasheet:

物料参数

类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:TrenchFET®
包装:Digi-Reel®
FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):25A(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):4.3 毫欧 @ 10A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss):2070pF @ 15V
功率-最大值:28W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK® 1212-8
供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8
其它名称:SISA12DN-T1-GE3DKRSISA12DNT1GE3