物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 家庭: | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 制造商: | NXP Semiconductors |
| 系列: | 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ |
| 包装: | 带卷（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET类型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压（Vdss）: | 30V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 54A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 7.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: | 12.2nC @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）: | 1249pF @ 25V |
| 功率-最大值: | 55W |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） |
| 供应商器件封装: | LFPAK33 |