物料参数
| 制造商: | ON Semiconductor |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | PNP - 达林顿 |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 3V @ 40mA，4A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 20µA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 1000 @ 2A，3V |
| 频率 - 跃迁: | 25MHz |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 2 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 100 V |
| 功率 - 最大值: | 1.75 W |
| 基本产品编号: | MJD117 |