物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 系列: | - |
| 包装: | 带卷（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET类型: | N 沟道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| DraintoSourceVoltage(Vdss): | 800V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 300mA（Ta） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | 6nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 200pF @ 25V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| FET功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.1W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 21.6 欧姆 @ 150mA，10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 供应商器件封装: | SOT-223 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |