物料参数
| 制造商: | Advanced Linear Devices Inc. |
| 系列: | EPAD® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 4 N 沟道，配对 |
| FET 功能: | 耗尽模式 |
| 漏源电压（Vdss）: | 10.6V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12mA，3mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 540 欧姆 @ 0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.45V @ 1µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2.5pF @ 5V |
| 功率 - 最大值: | 500mW |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 16-SOIC |
| 基本产品编号: | ALD114835 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.8700 |
| 50+ | ¥5.4884 |
| 100+ | ¥4.9106 |
| 500+ | ¥4.3329 |
| 1000+ | ¥3.8996 |
| 2000+ | ¥3.6541 |
| 包装：1 | 库存：0 |