NCE80H12

制造商: NCE 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

Datasheet:

描述: N沟道 耐压:80V 电流:120A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA

物料参数

安装类型:DIP
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
阈值电压Vgs(th):4V@250µA
包装:Tube packing
连续漏极电流Id@25℃:120A
漏源击穿电压BVDSS:80V
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:10.25 x 4.60mm
封装/外壳:TO220
元件生命周期:Active
输入电容Ciss:6.5nF
工作温度:-55℃~+175℃
漏极电流Idss:1uA
配置:单路
栅极电荷(Qg)(Max):163nC
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):80V
高度:19.15mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥3.4000
10+¥2.8300
30+¥2.5500
100+¥2.2700
500+¥2.1000
1000+¥2.0100
包装:1 库存:0