AP2306GN

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: 功率MOSFET

Datasheet:

描述: N沟道,20V,6A,28mΩ@4.5V

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1.25W
阈值电压Vgs(th):1V@250µA
连续漏极电流Id@25℃:5A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT23
输入电容Ciss:865pF
反向传输电容Crss:55pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:8.8nC
配置:单路
栅极电荷(Qg)(Max):18nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.12mm
晶体管类型:MOSFET
引脚数:3Pin