物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | VBsemi |
功率耗散: | 1.1W |
连续漏极电流Id@25℃: | 5.3A |
包装: | Tape/reel |
极性: | N-沟道 |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
封装/外壳: | SOT23 |
反向传输电容Crss: | 17pF |
输入电容Ciss: | 335pF |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
充电电量: | 2.1nC |
配置: | 单路 |
原产国家: | China Taiwan |
栅极电荷(Qg)(Max): | 6.7nC |
漏源电压(Vdss): | 30V |
高度: | 1.12mm |
晶体管类型: | N沟道 |
引脚数: | 3Pin |