WSD3067DN56

制造商: WINSOK 供应商:

分类: 功率MOSFET

Datasheet:

描述: 封装/外壳:DFN5X6-8 FET类型:N+P Channel 栅极电压Vgs:20V 漏源极电压Vds:±30V 连续漏极电流Id:24/-19.8A

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:18.9W
阈值电压Vgs(th):1.8V@250µA
连续漏极电流Id@25℃:24A
包装:Tape/reel
漏源击穿电压BVDSS:30V
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_5X6MM
输入电容Ciss:395pF
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:42pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:8.3nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):15mΩ
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):30V
晶体管类型:N沟道和P沟道互补型
应用:Consumer
库存:10000