物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 2.2W |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 阈值电压Vgs(th): | 3V@250µA |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 10A |
| 包装: | Tape/reel |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 栅极源极击穿电压: | ±16V |
| 输入电容Ciss: | 800pF |
| 反向传输电容Crss: | 73pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 15nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 15mΩ |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 15nC |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 高度: | 1.75mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.4757 |
| 50+ | ¥1.3024 |
| 150+ | ¥1.2282 |
| 500+ | ¥1.1357 |
| 2500+ | ¥0.9650 |
| 4000+ | ¥0.9402 |
| 包装：5 | 库存：1385 |