AO4616

制造商: 供应商:

分类: 功率MOSFET

Datasheet:

描述: 封装/外壳:SO-8 FET类型:N-Channel 工作温度:-55℃~150℃ 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:30V

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:2W
阈值电压Vgs(th):1.8V
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:8A,7A
漏源击穿电压BVDSS:30V
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC8_150MIL
反向传输电容Crss:82pF,125pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:互补型
系列:-
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):-
FET功能:逻辑电平门
栅极电荷(Qg)(Max):18nC@10V
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
漏源电压(Vdss):30V
零件状态:Active
晶体管类型:-
价格梯度 价格
1+¥3.2700
10+¥2.7900
30+¥2.5500
100+¥2.3100
包装:1 库存:412