VB1101M

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: 功率MOSFET

Datasheet:

描述: N沟道,100V,4.3A,100mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
连续漏极电流Id@25℃:3.6A
包装:Tape/reel
漏源击穿电压BVDSS:100V
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT23
反向传输电容Crss:13pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:2.9nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
栅极电荷(Qg)(Max):10.4nC
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):100V
认证信息:RoHS, HF(halogen free),
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
应用:Consumer
价格梯度 价格
5+¥1.2272
50+¥1.0844
150+¥1.0232
500+¥0.9469
3000+¥0.8280
6000+¥0.8076
包装:5 库存:2345